[实用新型]显示基板、显示面板及显示装置有效
申请号: | 201921000966.X | 申请日: | 2019-06-28 |
公开(公告)号: | CN210052743U | 公开(公告)日: | 2020-02-11 |
发明(设计)人: | 张露;常苗;许骥;李美尽;楼均辉 | 申请(专利权)人: | 昆山国显光电有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 11709 北京曼威知识产权代理有限公司 | 代理人: | 方志炜 |
地址: | 215300 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示区 子像素 透光率 第一电极 显示基板 像素电路 走线 透明导电材料 第二电极 发光结构 互相连接 显示面板 显示装置 电连接 邻接 驱动 申请 | ||
1.一种显示基板,其特征在于,所述显示基板包括第一显示区、第二显示区以及邻接所述第一显示区与所述第二显示区的第三显示区;所述第一显示区的透光率分别大于所述第二显示区的透光率及所述第三显示区的透光率;
所述第一显示区内设有多个第一子像素,所述第二显示区内设有多个第二子像素,所述第三显示区内设有多个第三子像素,所述第二子像素的密度分别大于所述第三子像素的密度及所述第一子像素的密度;
所述第一子像素包括第一电极、设置在所述第一电极上的发光结构及设置在所述发光结构上的第二电极,用于驱动所述第一子像素的像素电路设置在所述第三显示区内,所述第一子像素的第一电极通过走线与对应的像素电路电连接,所述走线包括互相连接的第一段和第二段,所述第一段位于所述第一显示区,所述第二段位于所述第三显示区,所述第一段的材料为透明导电材料。
2.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述第一电极和/或所述第一段的透光率大于70%。
3.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述第一电极和/或所述第一段的材料包括氧化铟锡、氧化铟锌、掺杂银的氧化铟锡及掺杂银的氧化铟锌中的至少一种。
4.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述第一段与所述第二段位于同一层,所述第一段与所述第二段搭接。
5.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述第一子像素的像素电路设置在所述第三显示区的靠近所述第一显示区的区域,所述第三子像素的像素电路设置在所述第三显示区的靠近所述第二显示区的区域。
6.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述第一子像素的像素电路为1T电路、或2T1C电路、或3T1C电路、或7T1C电路或7T2C电路。
7.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,每一所述第一电极包括至少一个电极块。
8.根据权利要求7所述的显示基板,其特征在于,所述第一电极包括两个或两个以上的电极块时,两个或两个以上的电极块沿第一方向间隔排布,且该第一电极还包括设置在相邻两个电极块之间的连接部,相邻的两个电极块通过对应的连接部电连接。
9.根据权利要求8所述的显示基板,其特征在于,所述第一电极包括两个或两个以上的电极块时,所述第一电极对应的走线与该第一电极的一个电极块电连接。
10.根据权利要求9所述的显示基板,其特征在于,所述第一电极包括两个或两个以上的电极块时,所述第一电极对应的走线与该第一电极的靠近所述第三显示区的电极块电连接。
11.根据权利要求8所述的显示基板,其特征在于,所述连接部与所述电极块位于同一层,所述连接部在垂直于其延伸方向上的尺寸大于3μm,且小于所述电极块的最大尺寸的二分之一。
12.根据权利要求8所述的显示基板,其特征在于,所述显示基板包括衬底,所述第一电极位于所述衬底上方,所述电极块在所述衬底上的投影由一个第一图形单元或者多个第一图形单元组成。
13.根据权利要求12所述的显示基板,其特征在于,所述第一图形单元包括圆形、椭圆形、哑铃形、葫芦形或矩形。
14.根据权利要求12所述的显示基板,其特征在于,在第二方向上,同一第一电极的两个或两个以上的电极块中,相邻的两个电极块错位排布,所述第二方向与所述第一方向垂直。
15.根据权利要求12所述的显示基板,其特征在于,同一第一电极的两个以上的电极块中,间隔一个电极块设置的两个电极块在所述第一方向上的中轴线重合。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的