[实用新型]充电电路和终端设备有效
| 申请号： | 201921006834.8 | 申请日： | 2019-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN209823477U | 公开（公告）日： | 2019-12-20 |
| 发明（设计）人： | 祝文祥 | 申请（专利权）人： | 维沃移动通信有限公司 |
| 主分类号： | H02J7/00 | 分类号： | H02J7/00;H02H7/18 |
| 代理公司： | 11315 北京国昊天诚知识产权代理有限公司 | 代理人： | 翟乃霞;刘昕 |
| 地址： | 523857 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 充电控制模块 充电电路 过流保护模块 电芯 本实用新型 电芯连接 终端设备 阈值时 预设 开路 检测 | ||
1.一种充电电路，其特征在于，包括：过压保护OVP模块、充电控制模块和过流保护模块；其中，
所述OVP模块的一端与Vbus电源线连接，所述OVP模块的另一端与所述充电控制模块连接；
所述充电控制模块的一端与所述OVP模块连接，所述充电控制模块的另一端与电芯连接；
所述过流保护模块设置在所述充电控制模块与所述电芯之间，用于在检测到流入所述电芯的电流大于预设阈值时，控制所述OVP模块开路。
2.如权利要求1所述的充电电路，其特征在于，所述过流保护模块包括：采样电阻和电压比较电路；其中，
所述采样电阻连接在所述充电控制模块和所述电芯之间，所述电压比较电路的输入端连接在所述采样电阻的两端，所述电压比较电路的输出端与所述OVP模块连接；
所述电压比较电路在检测到所述采样电阻两端的电压大于预设阈值时向所述OVP模块输出第一开路信号，所述第一开路信号用于控制所述OVP模块开路。
3.如权利要求2所述的充电电路，其特征在于，所述过流保护模块还包括：应用处理器；其中，
所述应用处理器的输入端连接在所述采样电阻的两端，所述应用处理器的输出端与所述OVP模块连接；
所述应用处理器在检测到所述采样电阻两端的电压大于所述预设阈值时向所述OVP模块输出第二开路信号，所述第二开路信号用于控制所述OVP模块开路。
4.如权利要求3所述的充电电路，其特征在于，所述过流保护模块还包括有逻辑电路；其中，
所述逻辑电路的输入端与所述电压比较电路的输出端和所述应用处理器的输出端连接，所述逻辑电路的输出端与所述OVP模块连接。
5.如权利要求4所述的充电电路，其特征在于，
所述逻辑电路的输出端与所述OVP模块的使能端连接；或
所述逻辑电路的输出端与所述OVP模块的电压接入端连接。
6.如权利要求4所述的充电电路，其特征在于，
所述逻辑电路包括或门逻辑电路或与门逻辑电路。
7.如权利要求1所述的充电电路，其特征在于，所述过流保护模块包括：负温度系数NTC电阻和电阻检测电路；其中，
所述NTC电阻连接在所述充电控制模块和所述电芯之间，所述电阻检测电路的输入端连接在所述NTC电阻的两端，所述电阻检测电路的输出端与所述OVP模块连接；
所述电阻检测电路在检测到所述NTC电阻的电阻小于预设阻值时向所述OVP模块输出第三开路信号，所述第三开路信号用于控制所述OVP模块开路。
8.如权利要求1所述的充电电路，其特征在于，所述OVP模块包括有第一NMOS晶体管，所述过流保护模块具体用于在检测到流入所述电芯的电流大于预设阈值时，控制所述第一NMOS晶体管开路。
9.如权利要求1所述的充电电路，其特征在于，所述充电控制模块包括有第二NMOS晶体管、第三NMOS晶体管和充电控制单元；其中，
所述第二NMOS晶体管的源极为电流输入端；
所述第三NMOS晶体管的源极为电流输出端；
所述第二NMOS晶体管的漏极和所述第三NMOS晶体管的漏极连接；
所述充电控制单元与所述第二NMOS晶体管的栅极和所述第三NMOS晶体管的栅极均连接。
10.一种终端设备，其特征在于，还包括如权利要求1至9任一项所述的充电电路。
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