[实用新型]图像像素件有效
申请号: | 201921009944.X | 申请日: | 2018-10-30 |
公开(公告)号: | CN210200733U | 公开(公告)日: | 2020-03-27 |
发明(设计)人: | S·伯萨库尔;M·A·苏弗里德格 | 申请(专利权)人: | 半导体元件工业有限责任公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H04N5/369 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 高文静 |
地址: | 美国亚*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 图像 像素 | ||
1.一种图像像素件,其特征在于,包括:
外部子像素组,外部子像素组包括至少第一子像素,其中第一子像素具有第一光敏感度;
内部子像素组,内部子像素组嵌套在外部子像素组内并且包括至少第二子像素,其中第二子像素具有小于第一光敏感度的第二光敏感度;
至少在外部子像素组上形成的滤光器层;
像素间光屏蔽结构,像素间光屏蔽结构形成在图像像素的外边界处;以及
像素内光屏蔽结构,像素内光屏蔽结构形成在内部子像素组的外周边上,其中滤光器层、像素间光屏蔽结构和像素内光屏蔽结构是共面的。
2.如权利要求1所述的图像像素件,其特征在于,所述滤光器层仅形成在所述像素间光屏蔽结构和所述像素内光屏蔽结构之间,其中所述像素内光屏蔽结构完全覆盖所述第二子像素,并且其中滤光器层是透明滤光器。
3.根据权利要求1所述的图像像素件,其特征在于,所述像素内光屏蔽结构具有光学透明部分,所述光学透明部分具有第一折射率,并且其中所述滤光器层具有不同于所述第一折射率的第二折射率。
4.如权利要求1所述的图像像素件,其特征在于,所述像素内光屏蔽结构包括:
光学不透明部分,光学不透明部分形成在内部子像素组的外周边上;和
光学透明部分,光学透明部分形成在光学不透明部分上。
5.如权利要求1所述的图像像素件,其特征在于,所述滤光器层具有形成在所述内部子像素组上方的第一部分和形成在所述外部子像素组上方的第二部分,其中所述像素内光屏蔽结构围绕第一部分以环形延伸,其中像素间光屏蔽结构围绕第二部分以环形延伸,并且其中第二部分插入在像素内光屏蔽结构和像素间光屏蔽结构之间。
6.如权利要求5所述的图像像素件,其特征在于,所述滤光器层是滤色器,并且其中所述第一部分和第二部分都透射相同颜色的光。
7.如权利要求1所述的图像像素件,其特征在于,所述外部子像素组和所述内部子像素组是同心的。
8.如权利要求1所述的图像像素件,其特征在于,还包括:
环形微透镜,环形微透镜覆盖外部子像素组并且具有开口,其中环形微透镜中的开口与内部子像素组重叠。
9.一种图像像素件,其特征在于,包括:
外部子像素组,外部子像素组包括至少第一子像素,其中第一子像素具有第一光敏感度;
内部子像素组,内部子像素组嵌套在外部子像素组内并且包括至少第二子像素,其中第二子像素具有小于第一光敏感度的第二光敏感度;
至少在外部子像素组上形成的滤光器层;
环形微透镜,环形微透镜覆盖外部子像素组并且具有开口,其中环形微透镜中的开口与内部子像素组重叠;
像素间光屏蔽结构,像素间光屏蔽结构形成在图像像素的外边界处;和
像素内光屏蔽结构,像素内光屏蔽结构形成在内部子像素组的外周边上。
10.一种图像像素件,其特征在于,包括:
外部子像素组,外部子像素组至少包括具有第一光敏感度的第一子像素;
内部子像素组,内部子像素组包括至少第二子像素,所述第二子像素具有小于第一光敏感度的第二光敏感度,其中所述外部子像素组和所述内部子像素组是同心的;
至少在外部子像素组上形成的滤光器层;
像素间光屏蔽结构,像素间光屏蔽结构形成在图像像素的外边界处;和
像素内光屏蔽结构,像素内光屏蔽结构形成在内部子像素组的外周边上。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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