[实用新型]单极化封装天线有效
申请号: | 201921013314.X | 申请日: | 2019-07-01 |
公开(公告)号: | CN209880547U | 公开(公告)日: | 2019-12-31 |
发明(设计)人: | 赵海霖;周祖源;吴政达;林正忠 | 申请(专利权)人: | 中芯长电半导体(江阴)有限公司 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60;H01L23/31;H01L23/488;H01L23/482;H01Q1/22;H01Q1/36;H01Q9/30 |
代理公司: | 31219 上海光华专利事务所(普通合伙) | 代理人: | 余明伟 |
地址: | 214437 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 封装 天线 单极化天线 单极化 本实用新型 金属布线层 重新布线层 天线金属 信号传输 移动信道 低延迟 封装层 空气腔 占据 | ||
本实用新型提供一种单极化封装天线,单极化封装天线包括:重新布线层及单极化天线结构;单极化天线结构包括位于封装层中,并以天线金属层作为顶部,以金属布线层作为底部的空气腔,从而可减少封装天线在移动信道中的损耗,使得信号传输速度更快,以凭借其高速度、低延迟的特点,在5G市场中占据有利地位。
技术领域
本实用新型属于半导体封装技术领域,涉及一种单极化封装天线。
背景技术
随着高科技电子产品的普及,特别是为了配合移动的需求,大多数高科技电子产品都增加了无线通讯的功能。
封装天线(Antenna in Package,简称AiP)是基于封装材料与工艺,将天线与集成电路(IC)集成在封装内,实现系统级无线功能的一门技术,其可携带高度集成的无线电或雷达收发模块。AiP技术由于顺应了硅基半导体工艺集成度提高的潮流,为系统级无线芯片提供了良好的天线与封装解决方案,因此,AiP技术已被芯片制造商广泛应用于无线电和雷达。AiP技术在性能、尺寸、成本等方面都达到了很好的平衡,是近年来天线技术的一项重要成果。
随着5G(5th Generation)通信的到来,对低延迟、高速度和大容量的通信提出了更高的要求,其中,主要问题集中于如何利用天线的布置来降低毫米波在移动信道中的损耗。
鉴于此,设计一种新型的单极化封装天线,以降低封装天线的信号损耗实属必要。
实用新型内容
鉴于以上所述现有技术的缺点,本实用新型的目的在于提供一种单极化封装天线,用于解决现有技术中封装天线的信号损耗的问题。
为实现上述目的及其他相关目的,本实用新型提供一种单极化封装天线,所述单极化封装天线包括:
重新布线层,所述重新布线层包括第一面及相对的第二面;
金属连接柱,形成于所述重新布线层的第二面上,且与所述重新布线层电连接;
封装层,覆盖所述重新布线层的第二面及金属连接柱,且所述封装层的顶面显露所述金属连接柱;
空气腔,贯穿所述封装层,以显露所述重新布线层的金属布线层;
天线金属层,位于所述封装层上并与所述金属连接柱电连接,且所述空气腔以所述天线金属层作为顶部,以所述金属布线层作为底部。
可选的,所述天线金属层与所述封装层之间还包括金属种子层。
可选的,所述金属布线层包括铜层、铝层、镍层、金层、银层及钛层中的一种或组合;所述天线金属层包括铜层、铝层、镍层、金层、银层及钛层中的一种或组合。
可选的,所述金属连接柱包括铜金属柱、金金属柱、银金属柱及铝金属柱中的一种或组合。
可选的,所述封装层包括聚酰亚胺层、硅胶层及环氧树脂层中的一种或组合。
如上所述,本实用新型的单极化封装天线,在封装层中形成以天线金属层作为顶部,以金属布线层作为底部的空气腔,从而可减少封装天线在移动信道中的损耗,使得信号传输速度更快,以凭借其高速度、低延迟的特点,在5G市场中占据有利地位。
附图说明
图1显示为本实用新型中的单极化封装天线的制备工艺流程图。
图2~图17显示为本实用新型中的制备单极化封装天线各步骤所呈现的结构示意图,其中,图17显示为本实用新型中的单极化封装天线的结构示意图。
元件标号说明
101 支撑基底
102 分离层
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯长电半导体(江阴)有限公司,未经中芯长电半导体(江阴)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201921013314.X/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:三维扇出型指纹识别芯片的封装结构
- 下一篇:光伏组件功率优化器在线测试装置
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造