[实用新型]一种基体分离测试焊锡中杂质的测试装置有效

专利信息
申请号: 201921015180.5 申请日: 2019-07-01
公开(公告)号: CN210665489U 公开(公告)日: 2020-06-02
发明(设计)人: 张军;刘旭深;陈玉巧 申请(专利权)人: 深圳市安普检测技术服务有限公司
主分类号: G01N21/35 分类号: G01N21/35
代理公司: 深圳市华盛智荟知识产权代理事务所(普通合伙) 44604 代理人: 孙成
地址: 518000 广东省深圳市宝安区*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 基体 分离 测试 焊锡 杂质 装置
【权利要求书】:

1.一种基体分离测试焊锡中杂质的测试装置,其特征在于,包括:中央处理器、红外光发射器及红外光传感器,所述红外光发射器及红外光传感器均与中央处理器电连接;

所述红外光发射器包括整流电路、分压电路、恒流电路及红外光电路,所述整流电路对交流电进行全波整流,对连接的分压电路、恒流电路及红外光电路提供电源。

2.根据权利要求1所述的基体分离测试焊锡中杂质的测试装置,其特征在于,所述分压电路包括一个晶体管、一个电阻,第一晶体管(T1)的源极接所述整流电路的输出端,栅极、漏极短接并通过第一电阻(R1)接地。

3.根据权利要求1所述的基体分离测试焊锡中杂质的测试装置,其特征在于,所述恒流电路包括一个运算放大器、一个晶体管与三个电阻,所述运算放大器的负输入端通过第三电阻(R3)连接至第二晶体管(T2)的源极,并通过第四电阻(R4)接地,正输入端通过第二电阻(R2)连接至所述分压电路中第一晶体管(T1)的漏极,输出端与所述第二晶体管(T2)的栅极连接。

4.根据权利要求3所述的基体分离测试焊锡中杂质的测试装置,其特征在于,所述第一晶体管(T1)为PMOS管,所述第二晶体管(T2)为NMOS管。

5.根据权利要求1所述的基体分离测试焊锡中杂质的测试装置,其特征在于,所述红外光电路的阳极接所述整流电路的输出端,阴极接所述恒流电路中第二晶体管(T2)的漏极。

6.根据权利要求5所述的基体分离测试焊锡中杂质的测试装置,其特征在于,所述红外光电路包括单个红外光二极管或红外光二极管串中的任意一种。

7.根据权利要求1所述的基体分离测试焊锡中杂质的测试装置,其特征在于,所述红外光传感器是电荷耦合型CCD图像传感器。

8.根据权利要求1所述的基体分离测试焊锡中杂质的测试装置,其特征在于,还包括一LCD显示屏,所述LCD显示屏是触摸型LCD显示屏。

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