[实用新型]一种多晶硅作为源区的沟槽MOSFET结构有效
| 申请号： | 201921016229.9 | 申请日： | 2019-07-02 |
| 公开（公告）号： | CN210200737U | 公开（公告）日： | 2020-03-27 |
| 发明（设计）人： | 代萌;李承杰;顾嘉庆 | 申请（专利权）人： | 上海格瑞宝电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/04 | 分类号： | H01L29/04;H01L29/08;H01L29/16;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京国昊天诚知识产权代理有限公司 11315 | 代理人： | 南霆 |
| 地址： | 200131 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 多晶 作为 沟槽 mosfet 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种多晶硅作为源区的沟槽MOSFET结构，其特征在于，包括基片和外延层，且外延层上淀积有重掺杂多晶硅层形成源区，外延层内设有沟槽，沟槽内部和侧壁上淀积有栅氧化物层，且外延层内部的栅氧化层的厚度小于源区内的栅氧化物层的厚度。
2.根据权利要求1所述的多晶硅作为源区的沟槽MOSFET结构，其特征在于，还包括接触孔沟槽，其设于沟槽之间，且接触孔沟槽的底部设有接触孔注入区，且接触孔注入区处于沟道区内。
3.根据权利要求2所述的多晶硅作为源区的沟槽MOSFET结构，其特征在于，所述接触孔注入区为P型掺杂注入。
4.根据权利要求3所述的多晶硅作为源区的沟槽MOSFET结构，其特征在于，源区的重掺杂多晶硅层上垫积有介质层。
5.根据权利要求4所述的多晶硅作为源区的沟槽MOSFET结构，其特征在于，所述接触孔沟槽内部和介质层上垫积有金属层。
6.根据权利要求5所述的多晶硅作为源区的沟槽MOSFET结构，其特征在于，基片的背面设有金属镀层，形成漏极。
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