[实用新型]硅芯方锭铸锭装置有效

专利信息
申请号: 201921019302.8 申请日: 2019-07-01
公开(公告)号: CN210596321U 公开(公告)日: 2020-05-22
发明(设计)人: 孙继勤;武东伟;刘德胜 申请(专利权)人: 江阴东升新能源股份有限公司
主分类号: C30B29/06 分类号: C30B29/06;C30B28/06
代理公司: 江阴市轻舟专利代理事务所(普通合伙) 32380 代理人: 曹键
地址: 214426 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 硅芯方锭 铸锭 装置
【说明书】:

实用新型涉及一种硅芯方锭铸锭装置,包括石墨块,所述石墨块上设置有定向导气块,所述定向导气块上设置有坩埚,所述坩埚外侧设置有定位块,所述坩埚外侧设置有加热器,所述加热器外侧设置有保温层,所述保温层外侧设置有炉体,所述定向导气块包括导气块本体,所述导气块本体的横向中轴线上间隔设置有五个通气口,其中,最左边一个通气口设置为出气口,其余四个通气口均设置为进气口,所述导气块本体的正面设置有冷却槽,所述冷却槽内自左至右依次间隔设置有第一导气凸块、两个前后对称的第二导气凸块以及两个前后对称的第三导气凸块。本实用新型一种硅芯方锭铸锭装置具有利于生产加宽加长型硅芯方锭、冷却均匀、提高产品质量的优点。

技术领域

本实用新型涉及一种硅芯方锭铸锭装置,属于多晶硅生产技术领域。

背景技术

多晶硅铸锭装置是一种硅原料重融设备,用于低成本生产太阳能级多晶硅铸锭,其作用是将多晶硅原料按照设定的工艺,经过加热融化、定向结晶、退火、冷却等阶段后成为沿一定方向生长的多晶硅锭。但是,现有的多晶硅铸锭装置结构设计不合理,不利于生产加宽加长型硅芯方锭,定向导气块气体走向单一,冷却不均匀,无法为多晶硅锭提供较好的生长环境,由此,影响了多晶硅锭的结晶质量以及硅芯方锭的尺寸。

实用新型内容

本实用新型所要解决的技术问题是针对上述现有技术提供一种利于生产加宽加长型硅芯方锭、冷却均匀、提高产品质量的硅芯方锭铸锭装置。

本实用新型解决上述问题所采用的技术方案为:一种硅芯方锭铸锭装置,包括石墨块,所述石墨块上设置有定向导气块,所述定向导气块上设置有坩埚,所述坩埚外侧设置有定位块,所述坩埚外侧设置有加热器,所述加热器外侧设置有保温层,所述保温层外侧设置有炉体;

所述定向导气块包括导气块本体,所述导气块本体的横向中轴线上间隔设置有五个通气口,其中,最左边一个通气口设置为出气口,其余四个通气口均设置为进气口,所述导气块本体的正面的中部设置有冷却槽,所述冷却槽内自左至右依次间隔设置有第一导气凸块、两个前后对称的第二导气凸块以及两个前后对称的第三导气凸块,出气口和自左至右排列的第一个进气口位于两个第一导气凸块内,其余三个进气口位于两个第二导气凸块以及两个第三导气凸块之间。

优选的,所述第一导气凸块设置为开口向左的U型结构,所述第一导气凸块包括两个前后平行的第一导气凸块横段、两个前后对称的向左外侧倾斜的第一导气凸块斜段以及一个第一导气凸块纵段,所述第一导气凸块纵段设置于两个的第一导气凸块横段的右侧之间,第一导气凸块纵段的前后两端通过第一导气凸块斜段分别与两个第一导气凸块横段的右端连接,出气口和自左至右排列的第一个进气口位于两个第一导气凸块横段之间;

所述第二导气凸块设置为平行四边形结构,所述第二导气凸块的内侧面和外侧面设置为相互平行的平面,所述第二导气凸块的左右两端面设置有相互平行的第一斜面;

所述第三导气凸块的内侧面设置为平面,第三导气凸块的外侧面自左至右依次包括第三导气凸块长横段、向右外侧倾斜的第三导气凸块斜段以及第三导气凸块短横段,所述第三导气凸块的左端面设置有第二斜面。

优选的,所述第二导气凸块的左端面和右端面分别与第一导气凸块斜段的外侧面和第三导气凸块的左端面相互平行。

优选的,所述第一导气凸块横段、第二导气凸块以及第三导气凸块位于同一横向直线上。

优选的,所述导气块本体上设置有前后两排固定安装孔。

所述导气块本体的背面设置有四个定位孔。

优选的,所述加热器包括支撑架,所述支撑架固定设置于石墨块四侧,所述支撑架上设置有两个前后对称布置的下加热器,所述下加热器上方设置有上加热器,所述上加热器的顶部设置有顶层加热器。

优选的,所述下加热器和上加热器之间形成散热通道。

优选的,所述保温层的材料采用碳纤维材料。

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