[实用新型]一种快恢复二极管有效
| 申请号： | 201921029362.8 | 申请日： | 2019-07-03 |
| 公开（公告）号： | CN210325812U | 公开（公告）日： | 2020-04-14 |
| 发明（设计）人： | 和峰;金锐;刘钺杨;刘江;董少华;温家良;吴军民;潘艳 | 申请（专利权）人： | 全球能源互联网研究院有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/868 | 分类号： | H01L29/868;H01L29/167;H01L29/06;H01L21/329 |
| 代理公司： | 北京安博达知识产权代理有限公司 11271 | 代理人： | 徐国文 |
| 地址： | 102209 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 恢复 二极管 | ||
1.一种快恢复二极管，其特征在于，包括衬底、N+阴极区、P+阳极区、寿命控制掺杂层、P+掺杂层、阳极侧电极和阴极侧电极；
所述P+掺杂层位于所述寿命控制掺杂层内部，所述寿命控制掺杂层位于P+阳极区内部；
所述阳极侧电极和阴极侧电极分别位于衬底的正面和背面；
所述P+阳极区位于衬底正面且靠近阳极侧电极，所述N+阴极区位于衬底背面且靠近阴极侧电极。
2.根据权利要求1所述的快恢复二极管，其特征在于，所述寿命控制掺杂层通过离子注入形成。
3.根据权利要求2所述的快恢复二极管，其特征在于，所述离子注入次数采用单步或多步；
所述离子注入方式采用轻离子注入方式或重离子注入方式。
4.根据权利要求1所述的快恢复二极管，其特征在于，所述N+阴极区和P+阳极区的浓度均高于衬底的浓度，所述P+掺杂层的浓度高于P+阳极区的浓度。
5.根据权利要求4所述的快恢复二极管，其特征在于，所述衬底的浓度为1E11cm-3～1E15cm-3，其后度为100um～600um。
6.根据权利要求1所述的快恢复二极管，其特征在于，所述N+阴极区的浓度为1E12cm-3～1E23cm-3，所述N+阴极区的深度为20um～100um。
7.根据权利要求1所述的快恢复二极管，其特征在于，所述P+阳极区的浓度1E13cm-3～1E22cm-3，所述P+阳极区的深度为3um～50um。
8.根据权利要求1所述的快恢复二极管，其特征在于，所述P+掺杂层的浓度1E15cm-3～1E30cm-3，所述P+掺杂层的深度为1um～2um。
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