[实用新型]单晶硅生长炉一炉多次掺杂装置有效

专利信息
申请号: 201921029858.5 申请日: 2019-07-04
公开(公告)号: CN210796694U 公开(公告)日: 2020-06-19
发明(设计)人: 曹建伟;傅林坚;胡建荣;高宇;倪军夫;叶钢飞;春伟博;谭庆;黄剑利 申请(专利权)人: 浙江晶盛机电股份有限公司
主分类号: C30B15/04 分类号: C30B15/04;C30B29/06
代理公司: 杭州中成专利事务所有限公司 33212 代理人: 周世骏
地址: 312300 浙江*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 单晶硅 生长 炉一炉 多次 掺杂 装置
【权利要求书】:

1.一种单晶硅生长炉一炉多次掺杂装置,包括掺杂筒;其特征在于,还包括掺杂机构和石英筒;

所述掺杂机构包括外筒,外筒内壁为N边形,其中N-1条边每条边上设有一轴座,每个轴座上设有心轴;掺杂筒底部筒壁上设有一偏心孔,心轴装设于偏心孔内;

外筒内顶部设有封盖,转轴手柄通过轴承与密封圈与封盖相连,封盖上设有若干止动孔,止动孔的位置与掺杂筒相对应;转轴手柄下端穿过封盖与挡板固连,上端与定位止动销相连,止动销底端插入其中一个定位孔内,挡板上设有缺口;

所述石英筒通过连接法兰与外筒下端相连。

2.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,所述石英筒外部套设有波纹管。

3.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,所述掺杂机构中各个部件间设有密封装置。

4.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,所述连接法兰与外筒间还设有连接段。

5.根据权利要求4所述的装置,其特征在于,所述连接段上下两个密封面存在角度。

6.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,还包括提升机构,提升机构包括下底板与背板;背板上沿竖向设有直线运动单元,直线运动单元的滑块上设有提升架;下底板上设有圆孔;石英筒下端穿过下底板的圆孔,连接法兰下端面外缘与提升架相连。

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