[实用新型]单晶硅生长炉一炉多次掺杂装置有效
申请号: | 201921029858.5 | 申请日: | 2019-07-04 |
公开(公告)号: | CN210796694U | 公开(公告)日: | 2020-06-19 |
发明(设计)人: | 曹建伟;傅林坚;胡建荣;高宇;倪军夫;叶钢飞;春伟博;谭庆;黄剑利 | 申请(专利权)人: | 浙江晶盛机电股份有限公司 |
主分类号: | C30B15/04 | 分类号: | C30B15/04;C30B29/06 |
代理公司: | 杭州中成专利事务所有限公司 33212 | 代理人: | 周世骏 |
地址: | 312300 浙江*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 单晶硅 生长 炉一炉 多次 掺杂 装置 | ||
1.一种单晶硅生长炉一炉多次掺杂装置,包括掺杂筒;其特征在于,还包括掺杂机构和石英筒;
所述掺杂机构包括外筒,外筒内壁为N边形,其中N-1条边每条边上设有一轴座,每个轴座上设有心轴;掺杂筒底部筒壁上设有一偏心孔,心轴装设于偏心孔内;
外筒内顶部设有封盖,转轴手柄通过轴承与密封圈与封盖相连,封盖上设有若干止动孔,止动孔的位置与掺杂筒相对应;转轴手柄下端穿过封盖与挡板固连,上端与定位止动销相连,止动销底端插入其中一个定位孔内,挡板上设有缺口;
所述石英筒通过连接法兰与外筒下端相连。
2.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,所述石英筒外部套设有波纹管。
3.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,所述掺杂机构中各个部件间设有密封装置。
4.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,所述连接法兰与外筒间还设有连接段。
5.根据权利要求4所述的装置,其特征在于,所述连接段上下两个密封面存在角度。
6.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,还包括提升机构,提升机构包括下底板与背板;背板上沿竖向设有直线运动单元,直线运动单元的滑块上设有提升架;下底板上设有圆孔;石英筒下端穿过下底板的圆孔,连接法兰下端面外缘与提升架相连。
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