[实用新型]硅基光耦合结构、硅基单片集成光器件有效
| 申请号： | 201921035705.1 | 申请日： | 2019-07-04 |
| 公开（公告）号： | CN210123484U | 公开（公告）日： | 2020-03-03 |
| 发明（设计）人： | 汪巍;方青;涂芝娟;曾友宏;蔡艳;余明斌 | 申请（专利权）人： | 上海新微技术研发中心有限公司 |
| 主分类号： | G02B6/12 | 分类号： | G02B6/12;G02B6/13;G02B6/42 |
| 代理公司： | 北京知元同创知识产权代理事务所(普通合伙) 11535 | 代理人： | 刘元霞 |
| 地址： | 201800 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 硅基光 耦合 结构 单片 集成 器件 | ||
1.一种硅基光耦合结构，其特征在于，所述硅基光耦合结构包括：
第一凹槽部，其形成于绝缘体上的硅衬底的衬底硅中；
第一光波导结构，其形成于所述绝缘体上的硅衬底的顶层硅中；
第二光波导结构，其在横向上与所述第一光波导结构连接，在横向的第一方向上延伸，并且，所述第二光波导结构位于所述第一凹槽部上方；以及
贯通槽，其形成于所述第二光波导结构在横向的第二方向的两侧，所述第二方向与所述第一方向垂直，所述贯通槽与所述第一凹槽部连通，
其中，所述第二光波导结构的材料的折射率低于所述第一光波导结构的材料的折射率。
2.如权利要求1所述的硅基光耦合结构，其特征在于，所述硅基光耦合结构还具有：
支撑结构，其形成于所述贯通槽中，在第二方向上与所述贯通槽尺寸相同，从所述第二方向上支撑所述第二光波导结构。
3.如权利要求1所述的硅基光耦合结构，其特征在于，第二光波导结构具有：
矩形波导，其在横向上为矩形，沿所述第一方向延伸；
锥形波导，其在横向上为锥形，沿所述第一方向延伸，并且在第一方向上的两端部的宽度不同，其中，在所述第一方向上，所述矩形波导与所述锥形波导的较宽的端部连接。
4.如权利要求1所述的硅基光耦合结构，其特征在于，
所述第二光波导结构的材料是氧化硅。
5.如权利要求1所述的硅基光耦合结构，其特征在于，
所述第一光波导结构在靠近所述第二光波导结构的一侧具有反锥形结构。
6.如权利要求1所述的硅基光耦合结构，其特征在于，
所述第一光波导结构的至少一部分位于所述第一凹槽部上方。
7.一种硅基单片集成光器件，其特征在于，所述硅基单片集成光器件具有：
如权利要求1～6中任一项所述的硅基光耦合结构；以及
形成于所述绝缘体上的硅衬底的衬底硅的第二凹槽部的底面上的激光器，和/或形成于所述绝缘体上的硅衬底的所述顶层硅中的硅光芯片，
其中，
所述激光器的发光层与所述第一光波导结构在纵向上位置相同，并在横向上朝向所述第二光波导结构，
所述硅光芯片的受光部在横向上朝向所述第一光波导结构，所述受光部被外包层覆盖。
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