[实用新型]一种碳化硅籽晶筛选组件有效
申请号: | 201921053168.3 | 申请日: | 2019-07-08 |
公开(公告)号: | CN210546254U | 公开(公告)日: | 2020-05-19 |
发明(设计)人: | 徐涛;吉野辰萌 | 申请(专利权)人: | 天津市卓辉电子有限公司 |
主分类号: | B07B1/28 | 分类号: | B07B1/28 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 300000 天津市*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 碳化硅 籽晶 筛选 组件 | ||
本实用新型公开了一种碳化硅籽晶筛选组件,包括筛选壳、筛选板和出料板,所述筛选壳内部的顶端设有入料口,所述筛选壳内壁设有滑动槽,且筛选板外侧滑动连接在滑动槽处,所述筛选板底端固定有多个缓冲固定件,此碳化硅籽晶筛选组件,通过将筛选板滑动连接在筛选壳内部,且振动电机直接作用于筛选板,且筛选板在多个缓冲支撑件的支撑作用下,充分在筛选壳内部进行振动,同时,由于在第一出料口设置的限位阻挡件,从而当振动电机工作一段时间后,合格的碳化硅籽晶在筛选板上全部滑落至出料板上,此时,限位阻挡件运行,使阻挡板脱离第一出料口处,使不合格碳化硅籽晶快速排出,从而提高了碳化硅籽晶的筛选质量。
技术领域
本实用新型涉及碳化硅技术领域,具体为一种碳化硅籽晶筛选组件。
背景技术
SiC半导体材料是继第一代元素半导体材料(Si)和第二代化合物半导体材料(GaAs、GaP、InP等)之后发展起来的第三代宽带隙(Wide Band-gapSemiconductor,WBS)半导体材料的代表,与前两代半导体材料相比,SiC具有宽带隙、高临界击穿电场、高热导率、高载流子饱和漂移速度以及极好的化学稳定性等特点,在光电子和微电子领域,具有巨大的应用潜力。
根据申请号201720771077.8,本实用新型公开了一种碳化硅籽晶筛选装置,包括底座,所述底座的上端中部设有筛选罐,所述筛选罐的左侧中部设有第一出料口,所述筛选罐的右侧下部设有第二出料口,所述筛选罐的底部安装有振荡器,所述筛选罐的内腔上部设有过滤板,所述筛选罐的内部下侧设有导料板,所述筛选罐的前后部通过第一销轴连接有支撑杆,所述支撑杆的上部通过第二销轴连接于支撑架的上部,本实用新型通过过滤板和导料板的倾斜设置,使得在筛选罐在振荡器作用下,需筛选的碳化硅籽晶可顺利由过滤板过滤,经由第一出料口排出,然后过滤后的碳化硅籽晶可顺利通过导料板落至第二出料口,在碳化硅籽晶经由入口管进入筛选罐后,落至过滤板上。但是由于上述专利中,筛选罐为整体振荡的方式,且第一出料口没有设置阻挡装置,碳化硅籽晶经过倾斜型过滤板过滤时,合格的碳化硅籽晶容易随不合格碳化硅沿着第一出料口一同排出,从而降低了碳化硅籽晶的筛选的质量,为此,我们提出一种碳化硅籽晶筛选组件。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种碳化硅籽晶筛选组件,以解决上述背景技术中提出的问题。
为实现上述目的,本实用新型提供如下技术方案:一种碳化硅籽晶筛选组件,包括筛选壳、筛选板和出料板,所述筛选壳内部的顶端设有入料口,所述筛选壳内壁设有滑动槽,且筛选板外侧滑动连接在滑动槽处,所述筛选板底端固定有多个缓冲固定件,且筛选板通过多个缓冲固定件与筛选壳内壁固定连接,所述筛选板底端固定连接有振动电机,所述筛选壳的一侧设有第一出料口,所述筛选壳内壁靠近第一出料口的一侧设有限位阻挡件,所述限位阻挡件输出端位于筛选板上,所述出料板位于筛选板底端,且出料板固定连接在筛选壳内部,所述筛选壳上设有第二出料口,且第二出料口位于出料板输出端上。
优选的,所述缓冲固定件包括缓冲弹簧、锲形块、T型块和支撑板,所述缓冲弹簧的顶端通过锲形块与筛选板底端固定连接,且缓冲弹簧底端通过T型块与支撑板固定连接,所述支撑板与筛选壳固定连接。
优选的,所述限位阻挡件包括电动推杆、限位板、阻挡板、支撑件和限位壳,所述电动推杆通过固定板与筛选壳内壁固定连接,所述电动推杆输出端与限位板固定连接,所述阻挡板内部的顶端设有限位槽,且限位板远底端滑动连接在限位槽内部,所述限位板外侧对称设有两个支撑件,且两个支撑件输出端滑动连接在阻挡板内部,所述阻挡板外侧对称设有两个限位壳,且阻挡板与两个限位壳滑动连接,所述限位壳固定连接在筛选壳内壁。
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