[实用新型]显示面板

说明书

本实用新型提供了一种显示面板，包括驱动背板和设置在所述驱动背板上的像素阵列，所述像素阵列包括金属键合阵列、发光阵列和金属层，所述金属键合阵列设置在所述驱动背板上，所述发光阵列设置在所述金属键合阵列远离所述驱动背板的一侧，所述发光阵列包括多量子阱层，所述金属层设置在所述发光阵列远离所述金属键合阵列的一侧，所述显示面板还包括设置在所述金属层上方并对应至少部分所述发光阵列的滤光片，以形成多色显示。本实用新型的显示面板突破了高像素密度的高精度金属掩膜板的物理极限，可实现2000及更高像素密度的显示。

技术领域

本实用新型涉及一种显示面板，尤其涉及一种高像素密度的显示面板。

背景技术

目前的OLED显示屏体大多采用蒸镀不同OLED材料实现OLED图形化，这种方法在像素密度低于700时是没有问题的，但是当像素密度高于800时，现有的制造技术将进入物理瓶颈。

因此，实现高像素密度的多彩显示，是目前急需解决的技术问题。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种显示面板，其在对应像素阵列的至少部分位置形成滤光片，可以实现高分辨率显示面板的多色显示。

为实现上述目的，本实用新型提供了一种显示面板，包括驱动背板和设置在所述驱动背板上的像素阵列，所述像素阵列包括金属键合阵列、发光阵列和金属层，所述金属键合阵列设置在所述驱动背板上，所述发光阵列设置在所述金属键合阵列远离所述驱动背板的一侧，所述发光阵列包括多量子阱层，所述金属层设置在所述发光阵列远离所述金属键合阵列的一侧，所述显示面板还包括设置在所述金属层上方并对应至少部分所述发光阵列的滤光片，以形成多色显示。

作为本实用新型的进一步改进，所述发光阵列包括分别位于所述多量子阱层两侧的第一半导体层和第二半导体层，所述第一半导体层与所述金属层电连接，所述第二半导体层与所述金属键合阵列电连接。

作为本实用新型的进一步改进，所述第一半导体层为N型半导体层，所述第二半导体层为P型半导体层。

作为本实用新型的进一步改进，所述滤光片包括用于发出红光的红色滤光片及用于发出绿光的绿色滤光片。

作为本实用新型的进一步改进，所述显示面板进一步包括薄膜封装层，所述薄膜封装层完全覆盖所述像素阵列，所述滤光片设置在所述薄膜封装层的外侧。

作为本实用新型的进一步改进，所述显示面板进一步包括形成于所述薄膜封装层顶部外侧的黑色矩阵层，且所述滤光片与所述黑色矩阵层位于同一层。

作为本实用新型的进一步改进，所述显示面板进一步包括玻璃盖板，所述玻璃盖板封装在所述滤光片的顶部并完全覆盖所述像素阵列。

作为本实用新型的进一步改进，所述驱动背板上设置有驱动电路阵列，以与相应的像素阵列电连接，为所述像素阵列提供驱动电压。

作为本实用新型的进一步改进，所述显示面板还包括形成于所述发光阵列和金属键合阵列外侧的绝缘层，且所述绝缘层覆盖所述发光阵列和金属键合阵列，所述金属层形成于所述绝缘层的外侧。

作为本实用新型的进一步改进，所述金属层的厚度为10nm。

本实用新型的有益效果是：本实用新型的显示面板通过在金属层上方对应发光阵列的至少部分位置形成滤光片，从而使得该显示面板形成多色显示，进一步采用黄光、刻蚀工艺实现高像素的显示面板图形化，突破了高像素密度的高精度金属掩膜板的物理极限，可实现2000及更高像素密度的显示。

附图说明

图1是符合本实用新型显示面板的驱动背板和发光基板键合前的示意图。

图2是图1所示的显示面板的驱动背板和发光基板键合后的示意图。