[实用新型]一种凸块结构的高频抛光石英晶片有效

专利信息
申请号: 201921064477.0 申请日: 2019-07-09
公开(公告)号: CN210273999U 公开(公告)日: 2020-04-07
发明(设计)人: 李辉;叶竹之 申请(专利权)人: 成都泰美克晶体技术有限公司
主分类号: H03H9/19 分类号: H03H9/19
代理公司: 成都弘毅天承知识产权代理有限公司 51230 代理人: 彭思思
地址: 611731 四川省*** 国省代码: 四川;51
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摘要:
搜索关键词: 一种 结构 高频 抛光 石英 晶片
【说明书】:

本实用新型公开了一种凸块结构的高频抛光石英晶片,包括长宽高为X、Y、Z的矩形晶片,所述矩形晶片的上下两表面镜像设置棱柱体形状的凸块,所述凸块位于所在表面的对角处;所述凸块棱长为A、高为B;其中;0.06Z≤B≤0.24Z;0.01Y≤A≤0.03Y。为了解决传统问题的不足,本方案设计一种具有凸起结构的石英晶片;打破传统对于晶片制作和认知的想法;解决背景技术中的问题;其中矩形晶片为原始晶片,且大小尺寸不唯一,主要适用于晶片的尺寸规格从大尺寸的SMD7050规格到小尺寸SMD1210规格都适用。本方案通过光刻的方式在晶片的表面刻出相应的小柱体防止叠片。

技术领域

本实用新型属于通讯领域,涉及一种凸块结构的高频抛光石英晶片。

背景技术

随着5G通信的发展,通信的波长越来越短,其通信频率相应的变的越来越高;AT切石英晶体谐振器或振荡器的核心部件是压电石英晶体频率片,其厚度与谐振频率满足:t=1664/f(其中t代表晶片的厚度;f代表晶片的频率),通过该式可以清楚的开到随着晶片的谐振频率的增加,晶片的厚度相应变的越来越薄。此外为了高频的石英晶片为了降低其阻抗往往通过改变晶片的表面粗糙度降低其谐振阻尼来实现的。其工艺方式采用抛光工艺来加工。

由于晶片变的越来越薄,其表面粗糙度低,导致晶片在清洗过程中晶片出现叠片现象。一旦两片晶片叠在一起后由于表面非常光滑出现真空区域,导致重叠区域无法清洗干净导致晶体谐振器DLD2(电平依赖特性)参数过大;如果强行分开将导致晶片破损。为此有必要通过改变晶片的外形,既能满足晶片振动的阻抗大小,又能保证晶片在清洗过程中重贴后留有一定的空隙无法粘黏在一起。

发明内容

本实用新型的目的在于:提供了一种凸块结构的高频抛光石英晶片,解决了

本实用新型采用的技术方案如下:

一种凸块结构的高频抛光石英晶片,包括长宽高为X、Y、Z的矩形晶片,所述矩形晶片的上下两表面镜像设置棱柱体形状的凸块,所述凸块位于所在表面的对角处;所述凸块棱长为A、高为B;

其中;0.06Z≤B≤0.24Z;

0.03Y≤A≤0.06Y。

为了解决传统问题的不足,本方案设计一种具有凸起结构的棱柱体石英晶片;打破传统对于晶片制作和认知的想法;解决背景技术中的问题;其中矩形晶片为原始晶片,且大小尺寸不唯一,主要适用于晶片的尺寸规格从大尺寸的SMD7050规格到小尺寸SMD1210规格都适用。本方案通过光刻的方式在晶片的表面刻出相应的小柱体防止叠片。

进一步,作为优选方案,在同一表面,任意两个对角距离位置较短的凸块之间均包括N个凸块,所述N为大于1的自然数。在任意两个对角距离位置较短的凸块之间设置新的凸块,是为了强调凸块的数量大于等于2,并且都是设置在矩形晶片的宽边上,2个面包括4条宽边,每一条宽边设置的凸块数量间距都相同;这样是为了将凸块的位置需要设计在矩形晶片的边缘,由于晶片的能陷效应主要振动集中在电极区域,非电极区域内能量快速衰减,从而抑制边缘振动反射回主振动区域从而导致阻抗过大。

进一步,作为优选方案,所述N为1,凸块为正六棱柱。

进一步,作为优选方案,所述矩形晶片的长宽高分别为:1.35mm、0.93mm和0.017mm。

进一步,作为优选方案,所述凸块的棱长A、高B分别为:0.003mm、0.01mm。

进一步,作为优选方案,所述凸块的棱长A、高B分别为:0.006mm、0.03mm,

综上所述,由于采用了上述技术方案,本实用新型的有益效果是:

1.本实用新型中通过变更晶片的结构,虽然轻微改变了晶片的主振频率,但是实现了晶片直接接触后留有一定的间隙,防止了晶片因叠片出现清洗不干净或者清洗后晶片无法分开等现象。

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