[实用新型]一种半导体器件有效
| 申请号： | 201921077722.1 | 申请日： | 2019-07-10 |
| 公开（公告）号： | CN210006741U | 公开（公告）日： | 2020-01-31 |
| 发明（设计）人： | 夏黎明;曹志强 | 申请（专利权）人： | 东泰高科装备科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/45 | 分类号： | H01L29/45;H01L29/41 |
| 代理公司： | 11002 北京路浩知识产权代理有限公司 | 代理人： | 谭云 |
| 地址： | 102200 北京市昌平*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 金属层 半导体基体 半导体器件 本实用新型 负极 依次设置 正极金属 金属膜 电极 半导体技术领域 整体工作性能 从上到下 接触性能 上表面 下表面 金属 | ||
1.一种半导体器件，其特征在于：包括半导体基体(1)、设置在所述半导体基体(1)下表面的负极金属膜(2)以及设置在所述半导体基体(1)上表面的正极金属电极(3)，所述正极金属电极(3)包括从上到下依次设置的第一Au金属层(31)、第一Pt金属层(32)和第一Ti金属层(33)，所述负极金属膜(2)包括从下至上依次设置的第二Au金属层(21)、第二Pt金属层(22)和第二Ti金属层(23)。
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于：所述正极金属电极(3)包括一个或多个电极本体(301)；当所述正极金属电极(3)包括多个电极本体(301)时，各所述电极本体(301)相互平行，且各所述电极本体(301)分别通过电极连接体(302)进行串连。
3.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于：所述电极连接体(302)分别与各所述电极本体(301)相垂直。
4.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于：各所述电极本体(301)均为长条状，各所述电极本体(301)的长度相等，所述电极连接体(302)分别与各所述电极本体(301)的一端相连。
5.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于：所述半导体基体(1)包括从上到下依次设置的隧道结层(11)、空穴提供层(12)、本征层(13)、电子提供层(14)和衬底层(15)。
6.根据权利要求5所述的半导体器件，其特征在于：所述隧道结层(11)为P型半导体层。
7.根据权利要求5所述的半导体器件，其特征在于：所述空穴提供层(12)为P型半导体层。
8.根据权利要求5所述的半导体器件，其特征在于：所述本征层(13)为U型半导体层。
9.根据权利要求5所述的半导体器件，其特征在于：所述电子提供层(14)为N型半导体层。
10.根据权利要求5所述的半导体器件，其特征在于：所述衬底层(15)为N型半导体层。
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