[实用新型]中子捕获治疗系统及用于中子捕获治疗系统的射束整形体

权利要求书

1.一种中子捕获治疗系统，包括中子产生装置和射束整形体，所述中子产生装置包括加速器和靶材，所述加速器加速产生的带电粒子线与所述靶材作用产生中子，所述中子形成中子束，所述中子束限定一根主轴，其特征在于，所述射束整形体包括支撑部和填充在所述支撑部内的主体部，所述主体部包括缓速体、反射体和辐射屏蔽体，所述缓速体将自所述靶材产生的中子减速至超热中子能区，所述反射体包围所述缓速体并将偏离所述主轴的中子导回至所述主轴以提高超热中子束强度，所述辐射屏蔽体用于屏蔽渗漏的中子和光子以减少非照射区的正常组织剂量。

2.根据权利要求1所述的中子捕获治疗系统，其特征在于，所述支撑部包括围绕所述主轴周向封闭的外壁，所述外壁包围形成容纳部，所述主体部设置在所述容纳部内，所述容纳部包括至少一个容纳单元，每个所述容纳单元容纳所述缓速体、反射体和辐射屏蔽体中的至少1个。

3.根据权利要求2所述的中子捕获治疗系统，其特征在于，所述支撑部还包括沿所述中子束方向分别设置在所述外壁两侧并与所述外壁连接的第一、第二侧板、沿所述中子束方向设置在所述第一、第二侧板之间的至少一个横板和围绕所述主轴周向封闭并延伸在所述第一、第二侧板之间或所述横板和第一/第二侧板之间或所述横板和横板之间的至少一个内壁，所述第一侧板上设置所述加速器的传输管穿过的孔，所述第二侧板上设置形成射束出口的孔，所述外壁、内壁、横板和第一、第二侧板之间形成多个容纳单元，所述辐射屏蔽体包括中子屏蔽体和光子屏蔽体，至少一个所述容纳单元同时容纳所述缓速体/中子屏蔽体和反射体。

4.根据权利要求3所述的中子捕获治疗系统，其特征在于，所述内壁包括第一、第二内壁，所述横板包括第一横板，所述第一内壁延伸在所述第一侧板和所述第一横板之间并用于安装所述传输管，所述第二内壁从所述第一横板沿所述中子束方向延伸并用于容纳所述缓速体的至少一部分。

5.根据权利要求4所述的中子捕获治疗系统，其特征在于，所述缓速体包括基本部分和补充部分，所述容纳单元包括邻接的第一容纳单元和第二容纳单元，所述基本部分容纳在所述第一容纳单元内，所述基本部分在朝向所述第一侧板的一端设置中心孔，所述中心孔用于容纳所述传输管和靶材，所述补充部分和所述反射体的至少一部分容纳在所述第二容纳单元内，所述第一容纳单元由所述第二内壁包围形成，所述第一内壁到所述主轴的径向距离小于所述第二内壁到所述主轴的径向距离。

6.根据权利要求5所述的中子捕获治疗系统，其特征在于，所述基本部分的材料为含Li-6的氟化镁，所述基本部分同时作为热中子吸收体，所述补充部分包括第一、第二补充单元，所述第一补充单元的材料为铝合金，所述第二补充单元的材料为特氟龙，所述反射体的材料为铅，所述反射体同时作为光子屏蔽体，所述第一、第二补充单元整体设置成两个相反方向相互邻接的锥体状并将所述第二容纳单元内的所述反射体分为两个部分，所述第一、第二补充单元沿所述中子束方向依次设置，所述第一、第二补充单元的分界面垂直于所述中子束方向。

7.根据权利要求6所述的中子捕获治疗系统，其特征在于，所述第一容纳单元内还设置屏蔽板，所述基本部分和屏蔽板沿所述中子束方向依次设置，所述屏蔽板的材料为铅，所述屏蔽板在所述中子束方向的厚度小于等于5cm，所述外壁、至少一个所述内壁和至少一个所述横板一体形成主框架，所述主框架、第一、第二侧板的材料被中子活化后产生的放射性同位素半衰期小于7天，所述主框架、第一、第二侧板的材料为铝合金、钛合金、铅锑合金、铸铝、不含钴的钢材、碳纤维、PEEK或高分子聚合物。

8.根据权利要求3所述的中子捕获治疗系统，其特征在于，所述容纳单元包括第三容纳单元，所述中子屏蔽体的至少一部分和所述反射体的至少一部分容纳在所述第三容纳单元内，所述中子屏蔽体的材料为PE，所述反射体的材料为铅，所述反射体同时作为光子屏蔽体，所述第三容纳单元内的反射体和中子屏蔽体沿所述中子束方向依次设置，所述第三容纳单元内的反射体和中子屏蔽体的分界面垂直于所述中子束方向。