[实用新型]中子捕获治疗系统及用于中子捕获治疗系统的射束整形体

权利要求书

1.一种用于中子捕获治疗系统的射束整形体，所述中子捕获治疗系统包括中子产生装置，所述中子产生装置产生的中子形成中子束，所述中子束限定一根主轴，所述射束整形体能够调整所述中子束的射束品质，其特征在于，所述射束整形体包括支撑部和填充在所述支撑部内的主体部，所述支撑部包括支撑框架，所述支撑框架由坯料经加热设备加热后再由锻造设备锻造加工为柱体，所述柱体经粗加工和热处理后由机械加工设备加工成型。

2.根据权利要求1所述的用于中子捕获治疗系统的射束整形体，其特征在于：所述支撑框架的材料为铝合金，所述铝合金中Cu元素的质量百分比≤7％，所述支撑框架的抗拉强度≥150MPa，屈服强度≥100MPa。

3.根据权利要求2所述的用于中子捕获治疗系统的射束整形体，其特征在于：所述铝合金为变形铝合金，所述锻造设备为自由锻造设备，所述自由锻造设备包括镦粗和拔长设备。

4.根据权利要求1所述的用于中子捕获治疗系统的射束整形体，其特征在于：所述加热设备为辐射式电阻加热炉，炉温偏差为±10℃，最高开锻温度是520℃，终锻温度是450℃，允许极限温度是530℃。

5.根据权利要求1所述的用于中子捕获治疗系统的射束整形体，其特征在于：所述主体部包括缓速体、反射体和辐射屏蔽体，所述缓速体将自所述中子产生装置产生的中子减速至超热中子能区，所述反射体包围所述缓速体并将偏离所述主轴的中子导回至所述主轴以提高超热中子束强度，所述辐射屏蔽体用于屏蔽渗漏的中子和光子以减少非照射区的正常组织剂量，所述支撑框架形成至少一个容纳单元，至少一个所述容纳单元容纳所述主体部的至少一部分。

6.根据权利要求5所述的用于中子捕获治疗系统的射束整形体，其特征在于：所述容纳单元包括容纳至少部分所述缓速体的第一容纳单元，所述第一容纳单元径向上位于所述支撑框架的中心，所述粗加工为在所述柱体与所述第一容纳单元相应的区域打孔。

7.根据权利要求6所述的用于中子捕获治疗系统的射束整形体，其特征在于：所述容纳单元包括容纳所述缓速体、反射体和辐射屏蔽体中的至少一个的第二容纳单元，所述支撑框架包括围绕所述主轴周向封闭的外壁和至少一个内壁，所述外壁和内壁或内壁和内壁之间形成所述第二容纳单元，所述粗加工还包括对所述柱体与所述第二容纳单元相应的区域的初步加工。