[实用新型]一种半桥软开关驱动方式的电子镇流器

权利要求书

1.一种半桥软开关驱动方式的电子镇流器，包括高端MOS管Q3、低端MOS管Q4、电容C10、电感T4A、控制装置；高压直流电源接高端MOS管Q3的D极、高端MOS管Q3的S极接低端MOS管Q4的D极，低端MOS管Q4的S极接地；高端MOS管Q3的S极与低端MOS管Q4的D极的公共端接电容C10的一端，电容C10的另一端接电感T4A的一端，电感T4A的另一端接金卤灯LAMP的阳极，金卤灯的阴极接地；其特征在于：所述的控制装置产生分别控制高端MOS管Q3和低端MOS管Q4的控制信号DR_H和DR_L；在控制信号DR_H接入高端MOS管Q3的G极之间还设置有高端驱动电路，在控制信号DR_L和低端MOS管Q4的G极之间还设置有低端驱动电路。

2.根据权利要求1所述的半桥软开关驱动方式的电子镇流器，其特征在于：所述的高端驱动电路包括电容C7、变压器T3、电阻R8、电阻R9、电阻R10、三极管Q5、二极管D1、稳压管ZD1；

所述的控制信号DR_H经过电容C7加到变压器T3的源边同相端，变压器T3源边异相端接地；

变压器T3的副边同相端分别接电阻R8和电阻R9的一端，电阻R8的另一端接二极管D1的P极，二极管D1的N极接三极管Q5的c极，电阻R9的另一端接三极管Q5的b极、三极管Q5的e极接变压器T3的副边异相端；

电阻R10和稳压管ZD1设置在三极管Q5的c－e极之间；

三极管Q5的c极接高端MOS管Q3的G极。

3.根据权利要求1所述的半桥软开关驱动方式的电子镇流器，其特征在于：所述的低端驱动电路包括电阻R11、电阻R12、电阻R13、三极管Q6、二极管D2、稳压管ZD2；

控制装置产生控制信号DR_L的输出端分别接电阻R11和电阻R12的一端，电阻R11的另一端接二极管D2的P极，二极管D2的N极接三极管Q6的c极，电阻R12的另一端接三极管Q6的b极、三极管Q6的e极接地；

电阻R13和稳压管ZD2设置在三极管Q6的c－e极之间；

三极管Q6的c极接低端MOS管Q4的G极。

4.根据权利要求1所述的半桥软开关驱动方式的电子镇流器，其特征在于：在高端MOS管Q3的C——S极之间设置电容C8、在低端MOS管Q4的C——S极之间设置电容C9。

5.根据权利要求1到4中任一所述的半桥软开关驱动方式的电子镇流器，其特征在于：还包括电容C11、电容C12、电阻R16；所述的电容C11、电容C12、电阻R16依次串连在金卤灯LAMP的两极之间。