[实用新型]基于配电网中串补电容器的保护电路有效

专利信息
申请号: 201921082746.6 申请日: 2019-07-11
公开(公告)号: CN209881391U 公开(公告)日: 2019-12-31
发明(设计)人: 黄瑞;王剑;郭光辉;孔卫文;马海燕;齐良;张宝 申请(专利权)人: 陕西省地方电力(集团)有限公司延安供电分公司
主分类号: H02H7/16 分类号: H02H7/16
代理公司: 11514 北京酷爱智慧知识产权代理有限公司 代理人: 邹成娇
地址: 716000 陕*** 国省代码: 陕西;61
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摘要:
搜索关键词: 电容器 配电网 电容器并联 晶闸管组件 支路 阻尼器 电路 本实用新型 电容器串联 输电线路中 有功功率 串联 降落
【说明书】:

实用新型提供的基于配电网中串补电容器的保护电路,包括电容器、晶闸管组件、阻尼器和开关;其中,所述电容器串联在配电网的输电线路中,所述开关与所述电容器并联,所述晶闸管组件和阻尼器串联形成保护支路,所述保护支路与所述电容器并联。该保护电路能够解决现有技术中存在的有功功率引起电压降落的缺陷。

技术领域

本实用新型涉及集成电子电路技术领域,具体涉及基于配电网中串补电容器的保护电路。

背景技术

电压质量是衡量电能质量是否符合标准的一项重要指标,其质量优劣直接关系到用电设备的正常运作和安全经济运行。目前供电公司配网存在的电压质量问题主要表现在网架薄弱,配电变压器数量多负荷重,造成线路电压严重偏低,持续的低电压也会增加线路损耗。另外部分配电线路带有以石油开采、灌溉等动力为主的电动机负荷,使无功损耗增大,影响电压质量。以往解决低电压问题的主要措施是使用调压器、并联补偿装置,或对配电线路实施改造,这些措施的使用对提高电压质量发挥了积极作用,但这些方式不能解决有功功率引起的电压降落且调压能力有限。

实用新型内容

因此,本实用新型的目的是提供基于配电网中串补电容器的保护电路,能够解决现有技术中存在的有功功率引起电压降落的缺陷。

一种基于配电网中串补电容器的保护电路,

包括电容器、晶闸管组件、阻尼器和开关;

其中,所述电容器串联在配电网的输电线路中,所述开关与所述电容器并联,所述晶闸管组件和阻尼器串联形成保护支路,所述保护支路与所述电容器并联。

优选地,所述晶闸管组件包括一对反向并联的晶闸管。

优选地,所述阻尼器包括相互并联的一电阻和一电感。

优选地,所述开关为快速开关。

优选地,还包括接入配电网的过压保护电路;

所述过压保护电路包括稳压二极管D5、稳压二极管D6、三极管VT1、三极管VT2和场效应管MOS1;

稳压二极管D5的N极经电阻R6与场效应管MOS1的源极相连接,稳压二极管D5的P极接地,稳压二极管D5的N极通过电阻R7连接至三极管VT1的基极;稳压二极管D6的N极与场效应管MOS1的源极相连接,稳压二极管D6的P极与三极管VT1的基极相连接;三极管VT1的集电极通过电阻R8接其发射极,三极管VT1的集电极与场效应管MOS1的源极相连接,三极管VT1的发射极接三极管VT2的基极;三极管VT2的发射极接地,三极管VT2的集电极通过电阻R9接场效应管MOS1的栅极;

场效应管MOS1的源极形成过压保护电路的输入端,场效应管MOS1的漏极形成过压保护电路的输出端。

优选地,所述三极管VT1和三极管VT2为PNP管。

优选地,所述场效应管MOS1为P沟道耗尽型绝缘栅场效应管。

优选地,所述配电网为10kV。

优选地,还包括接入配电网的通讯单元,所述通讯单元与所述过压保护电路电连接。

优选地,所述配电网的每条输电线路上均设有所述电容器。

本实用新型提供的基于配电网中串补电容器的保护电路,能够解决现有技术中存在的有功功率引起电压降落的缺陷。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型具体实施方式或现有技术中的技术方案,下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍。附图中,各元件或部分并不一定按照实际的比例绘制。

图1为本实施例提供的基于配电网中串补电容器的保护电路的电路图。

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