[实用新型]一种用于化学气相沉积硅基薄膜钝化层的托盘结构有效
申请号: | 201921083085.9 | 申请日: | 2019-07-11 |
公开(公告)号: | CN209947816U | 公开(公告)日: | 2020-01-14 |
发明(设计)人: | 张丽平;刘正新;石建华;孟凡英;谢毅 | 申请(专利权)人: | 中威新能源(成都)有限公司 |
主分类号: | H01L21/687 | 分类号: | H01L21/687;H01L31/18;C23C16/54 |
代理公司: | 51250 成都时誉知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人: | 沈成金 |
地址: | 610000 四川省*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 托盘 硅片 本实用新型 支撑结构 斜边 化学气相沉积 大面积接触 超薄硅片 沉积薄膜 倒角设置 底部边缘 硅基薄膜 硅片边缘 硅片底面 受热均匀 托盘边缘 托盘底面 托盘结构 相邻设置 不均匀 导气孔 定位点 钝化层 压力差 受热 取放 遮挡 污染 保证 | ||
1.一种用于化学气相沉积硅基薄膜钝化层的托盘结构,其特征在于,包括托盘四周的托盘顶部(11)和托盘口袋底部(17),所述托盘口袋底部(17)四周倒角设置有斜边(12),所述斜边(12)外侧与所述托盘顶部(11)内侧相邻,所述斜边(12)上设置有若干个定位点(14),所述斜边(12)内侧相邻设置有四周支撑结构(13),所述四周支撑结构(13)内侧与所述托盘口袋底部(17)边缘相邻,所述托盘口袋底部(17)开设有若干个导气孔(15)。
2.根据权利要求1所述的一种用于化学气相沉积硅基薄膜钝化层的托盘结构,其特征在于,所述导气孔(15)与所述托盘口袋底部(17)所在平面成一定角度,该角度在10-90°之间。
3.根据权利要求1所述的一种用于化学气相沉积硅基薄膜钝化层的托盘结构,其特征在于,所述斜边(12)的斜面与所述托盘口袋底部(17)所在平面之间的夹角在10~85°之间。
4.根据权利要求1所述的一种用于化学气相沉积硅基薄膜钝化层的托盘结构,其特征在于,所述定位点(14)设置于所述斜边(12)的斜面上,所述定位点(14)的结构为圆柱形、椭圆柱型、三角形或者方形。
5.根据权利要求4所述的一种用于化学气相沉积硅基薄膜钝化层的托盘结构,其特征在于,所述定位点(14)在所述斜边(12)长度方向上的尺寸小于10mm,且,所述定位点(14)与所述托盘口袋底部(17)所在平面之间的夹角大于所述斜边(12)的斜面与所述托盘口袋底部(17)所在平面之间的夹角。
6.根据权利要求1所述的一种用于化学气相沉积硅基薄膜钝化层的托盘结构,其特征在于,所述托盘口袋底部(17)中部设置有中央支撑结构(16)。
7.根据权利要求6所述的一种用于化学气相沉积硅基薄膜钝化层的托盘结构,其特征在于,所述中央支撑结构(16)的形状为点状、线状或面状,且所述中央支撑结构(16)与所述托盘口袋底部(17)的接触面积小于10mm2。
8.根据权利要求7所述的一种用于化学气相沉积硅基薄膜钝化层的托盘结构,其特征在于,所述四周支撑结构(13)和所述中央支撑结构(16)与所述托盘口袋底部(17)的接触面积之和小于所述托盘口袋底部(17)面积的10%。
9.根据权利要求6所述的一种用于化学气相沉积硅基薄膜钝化层的托盘结构,其特征在于,所述四周支撑结构(13)和所述中央支撑结构(16)的高度均小于1mm。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造