[实用新型]碳化硅单晶生长装置有效
| 申请号： | 201921085672.1 | 申请日： | 2019-07-11 |
| 公开（公告）号： | CN210856411U | 公开（公告）日： | 2020-06-26 |
| 发明（设计）人： | 徐良;蓝文安;占俊杰;阳明益;刘建哲;余雅俊 | 申请（专利权）人： | 浙江博蓝特半导体科技股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B23/00 |
| 代理公司： | 北京辰权知识产权代理有限公司 11619 | 代理人： | 董李欣 |
| 地址： | 321000 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 碳化硅 生长 装置 | ||
1.一种碳化硅单晶生长装置，其特征在于，包括：
筒状承料坩埚，用于放置碳化硅原料；
第一感应加热线圈，设置于整个所述承料坩埚的外周；
第二感应加热线圈，设置于所述第一感应加热线圈的外周；所述第二感应加热线圈的位置靠近所述承料坩埚的底部，且所述第二感应加热线圈的频率大于所述第一感应加热线圈的频率；
测温器，用于采集所述承料坩埚顶部与底部的温度数据；
控制器，用于接收所述测温器发送的温度数据，并独立控制所述第一感应加热线圈和/或所述第二感应加热线圈，以调整所述承料坩埚内部的轴向温度梯度。
2.根据权利要求1所述的碳化硅单晶生长装置，其特征在于，所述第一感应加热线圈的频率为1～20kHz，所述第二感应加热线圈的频率为40～200kHz。
3.根据权利要求2所述的碳化硅单晶生长装置，其特征在于，所述第一感应加热线圈的频率为8kHz，所述第二感应加热线圈的频率为40～80kHz。
4.根据权利要求1所述的碳化硅单晶生长装置，其特征在于，所述第一感应加热线圈的输出功率大于所述第二感应加热线圈的输出功率。
5.根据权利要求1所述的碳化硅单晶生长装置，其特征在于，所述控制器分别控制所述第二感应加热线圈的功率和/或所述第一感应加热线圈与所述第二感应加热线圈的轴向相对位置。
6.根据权利要求1所述的碳化硅单晶生长装置，其特征在于，还包括盖设于所述承料坩埚开口上的坩埚盖，所述坩埚盖靠近所述开口的一侧安装有碳化硅籽晶。
7.根据权利要求1所述的碳化硅单晶生长装置，其特征在于，所述第一感应加热线圈、第二感应加热线圈内填充有冷却介质。
8.根据权利要求1～7任一项所述的碳化硅单晶生长装置，其特征在于，所述测温器为红外线测温器。
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