[实用新型]一种硅晶圆结构

说明书

本申请公开了一种硅晶圆结构，硅晶圆结构包括：硅晶圆主体，在硅晶圆主体上设有第一槽和第二槽，硅晶圆主体还形成有第一尖角或第二尖角，其中，第一尖角或第二尖角设置在第一槽和第二槽的连接处。本申请中硅晶圆主体的背面用抗腐蚀的薄膜保护，使正面腐蚀时可以停止在薄膜上，夹角处被保护，可以有效地避免尖角被腐蚀液迅速腐蚀。

技术领域

本申请属于微加工制造技术领域，具体涉及一种硅晶圆结构。

背景技术

CMOS-MEMS工艺制造的微型传感器能够利用标准CMOS工艺实现传感器的低成本、批量生产，这是MEMS传感器相对于传统传感器的优势之一.各向异性湿法腐蚀是CMOS-MEMS工艺中较为常用的MEMS后处理工艺。通常利用KOH、TMAH、EDP等碱性溶液的各向异性腐蚀特性实现传感器的腔、槽等结构。腐蚀深度一般是几十微米到几百微米，甚至将硅片腐蚀穿透。如图1所示，为现有常规方案双面图形化掩模-硅晶圆结构10’经过腐蚀等的制造过程，但是其一旦腐蚀贯穿，斜面夹角尖锐处20’会迅速被腐蚀掉，将得不到理想双V槽贯穿结构。

实用新型内容

针对上述现有技术的缺点或不足，本申请要解决的技术问题是提供一种硅晶圆结构。

为解决上述技术问题，本申请通过以下技术方案来实现：

一种硅晶圆结构，所述硅晶圆结构包括：硅晶圆主体，在所述硅晶圆主体上设有第一槽和第二槽，所述硅晶圆主体还形成有第一尖角或第二尖角，其中，所述第一尖角或所述第二尖角设置在所述第一槽和所述第二槽的连接处。

进一步地，上述的硅晶圆结构，其中，所述硅晶圆主体的背面、所述第一槽的表面以及所述第二槽的表面均镀有抗腐蚀的薄膜。

进一步地，上述的硅晶圆结构，其中，所述硅晶圆主体的正面设有可图形化的薄膜。

进一步地，上述的硅晶圆结构，其中，所述薄膜包括金属薄膜和非金属薄膜，其中，所述金属薄膜包括铬薄膜和金薄膜，所述非金属薄膜包括氮化硅薄膜。

进一步地，上述的硅晶圆结构，其中，所述薄膜的厚度为0.1～3um。

进一步地，上述的硅晶圆结构，其中，所述硅晶圆主体为(100)面型硅片。

本申请还提出了一种所述的硅晶圆结构的制造方法，包括如下步骤：

采用薄膜在硅晶圆主体的表面做掩膜；

在所述硅晶圆主体的背面腐蚀出第一槽；

在所述硅晶圆主体的背面以及所述第一槽的表面蒸镀薄膜；

在上述结构的正面进行掩膜图形化工艺形成图形化掩膜层，并进行二次腐蚀并腐蚀出第二槽；

腐蚀完成后，采用可腐蚀掉上述蒸镀薄膜的腐蚀液去除该蒸镀薄膜。

进一步地，上述的制造方法，其中，采用氮化硅薄膜在硅晶圆主体的表面做掩膜。

进一步地，上述的制造方法，其中，在所述硅晶圆主体的背面以及所述第一槽的表面蒸镀铬薄膜或金薄膜。

进一步地，上述的制造方法，其中，腐蚀完成后，采用铬腐蚀液或金腐蚀液对应去除该蒸镀薄膜。

本申请还提出了一种所述的硅晶圆结构的制造方法，包括如下步骤：

采用薄膜在硅晶圆主体的表面做掩膜；

在所述硅晶圆主体的背面腐蚀出第一槽；

腐蚀去除该薄膜；

再次双面沉积生长该薄膜；

在上述结构的正面进行掩膜图形化工艺形成图形化掩膜层，并进行二次腐蚀并腐蚀出第二槽；