[实用新型]旋转阴极结构及镀膜设备

说明书

本实用新型提供了一种旋转阴极结构及镀膜设备。旋转阴极结构包括靶筒、设置在靶筒表面的靶材以及设置在靶筒内部的磁体结构组件；磁体结构组件包括：第一磁体；第二磁体，其中，在靶筒的轴线方向上，第一磁体和第二磁体的彼此靠近的两个端部之间具有间隔；磁场强度调节结构，设置在间隔处。本实用新型的技术方案解决了现有技术中靶材利用率较低的问题。

技术领域

本实用新型涉及旋转阴极结构，具体而言，涉及一种旋转阴极结构及镀膜设备。

背景技术

磁控溅射镀膜技术在溅射速率、工件温度等多方面有非常明显的优势，被广泛应用到工业生产中，旋转靶磁控溅射以较高的靶材利用率更是赢得了大众的认可。磁控溅射镀膜过程中，电能、气压、磁场等参数的变化对工艺质量至关重要，磁场的分布起着非常重要的作用。

现有技术中，旋转阴极结构包括多个磁体，多个磁体设置在靶筒内部，其中，多个磁体的相互靠近的端部平齐设置，这样靶材两端部的磁场强度和靶材中部的磁场强度比例不均匀，导致靶材的端部区域的刻蚀速度比靶材的中部区域刻蚀速度快，使得靶材整体轮廓不均匀，尤其是靶材两端部出现过深蚀刻槽而靶材中间部位蚀刻较浅，然而，在实际使用靶材的过程中，则是根据靶材蚀刻槽最深部位深度接近于靶材厚度时决定是否更换新的靶材，靶材两端部出现蚀刻槽过深会造成靶材中间部位靶材浪费。也就是说，现有技术中存在靶材利用率较低的问题。

发明内容

本实用新型的主要目的在于提供一种旋转阴极结构及镀膜设备，以解决现有技术中由于靶材的两端消耗过快而靶材中部消耗较慢，导致靶材利用率低的问题。

为了实现上述目的，根据本实用新型的一个方面，提供了一种旋转阴极结构，旋转阴极结构用于磁控溅射，旋转阴极结构包括靶筒、设置在靶筒表面的靶材以及设置在靶筒内部的磁体结构组件；磁体结构组件包括：第一磁体；第二磁体，其中，在靶筒的轴线方向上，第一磁体和第二磁体的彼此靠近的两个端部之间具有间隔；磁场强度调节结构，设置在间隔处。

进一步地，磁场强度调节结构为导磁块，第二磁体的相对设置的两个端部处均设有导磁块。

进一步地，导磁块与第二磁体之间的距离大于等于0.1mm且小于等于10mm。

进一步地，磁体结构组件包括一个第一磁体和多个第二磁体，一个第一磁体位于多个第二磁体的最外侧或者一个第一磁体位于多个第二磁体中的任意两个第二磁体之间；或者，磁体结构组件包括多个第一磁体和多个第二磁体，其中，多个第一磁体和多个第二磁体中位于最外侧的两个磁体中的至少一个为第二磁体。

进一步地，多个第二磁体的结构相同或者不同。

进一步地，磁体结构组件还包括设置在靶筒内的磁靴，磁靴沿靶筒的轴线方向延伸，第一磁体和第二磁体设置在磁靴上。

进一步地，磁靴上开设有多个安装槽，第一磁体和第二磁体对应安装在多个安装槽内。

进一步地，磁靴为板状结构，板状结构的磁靴包括依次相连接的第一表面、第二表面、第三表面和第四表面，第一表面和第三表面相对设置，第二表面和第四表面相对设置，安装槽开设在第一表面，第一表面和第二表面的连接处形成第一倾斜表面，和/或第一表面和第四表面的连接处形成第一倾斜表面。

进一步地，旋转阴极结构包括多个磁体结构组件，多个磁体结构组件绕靶筒的轴线间隔设置在靶筒内。

根据本实用新型的另一个方面，提供了一种镀膜设备，包括旋转阴极结构，旋转阴极结构为上述的旋转阴极结构。

应用本实用新型的技术方案，通过调整第一磁体与第二磁体彼此靠近的两个端部之间的间隔距离以及在间隔处设置磁场强度调节结构，可以调节磁体结构组件端部位置的磁场强度，使得磁体结构组件的端部位置和中部位置的磁场强度基本一致，从而使得整个靶材表面的磁场强度的分布均匀，这样，在溅射镀膜的过程中，靶材能够均匀的消耗，进而提高了靶材的利用率，降低了镀膜的成本。