[实用新型]用于气相沉积生长碳纳米管阵列的基底悬浮式石英舟结构有效

专利信息
申请号: 201921111332.1 申请日: 2019-07-16
公开(公告)号: CN210683937U 公开(公告)日: 2020-06-05
发明(设计)人: 张亮;汪小知;沈龙 申请(专利权)人: 杭州英希捷科技有限责任公司
主分类号: C23C16/26 分类号: C23C16/26;C23C16/458
代理公司: 杭州求是专利事务所有限公司 33200 代理人: 林超
地址: 311215 浙江省杭州市萧山经济*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 用于 沉积 生长 纳米 阵列 基底 悬浮 石英 结构
【权利要求书】:

1.一种用于气相沉积生长碳纳米管阵列的基底悬浮式石英舟结构,其特征在于:所述的石英舟结构包括石英舟主体(1)和石英舟侧壁板(2)以及位于侧壁表面的多个卡槽(3),卡槽中用来放置生长碳纳米管阵列的基底;卡槽为布置于石英舟侧壁板(2)表面的截面为矩形的条形槽,条形槽的两端非封闭,多个卡槽相间隔水平平行布置且位于石英舟侧壁板(2)表面上。

2.根据权利要求1所述的一种用于气相沉积生长碳纳米管阵列的基底悬浮式石英舟结构,其特征在于:所述的石英舟主体(1)两侧上分别有一个垂直于主体的石英舟侧壁板(2),石英舟侧壁板(2)固定于石英舟主体(1)上。

3.根据权利要求1所述的一种用于气相沉积生长碳纳米管阵列的基底悬浮式石英舟结构,其特征在于:所述的石英舟主体(1)为立方体板状结构。

4.根据权利要求3所述的一种用于气相沉积生长碳纳米管阵列的基底悬浮式石英舟结构,其特征在于:所述的石英舟主体(1)的长10厘米,宽5厘米,高1厘米。

5.根据权利要求1所述的一种用于气相沉积生长碳纳米管阵列的基底悬浮式石英舟结构,其特征在于:所述侧壁长10厘米,高4厘米,宽1厘米。

6.根据权利要求1所述的一种用于气相沉积生长碳纳米管阵列的基底悬浮式石英舟结构,其特征在于:所述的卡槽(3)长10厘米,深度约为0.3厘米,单个卡槽的槽宽为0.1厘米。

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