[实用新型]用于气相沉积生长碳纳米管阵列的基底悬浮式石英舟结构有效
申请号: | 201921111332.1 | 申请日: | 2019-07-16 |
公开(公告)号: | CN210683937U | 公开(公告)日: | 2020-06-05 |
发明(设计)人: | 张亮;汪小知;沈龙 | 申请(专利权)人: | 杭州英希捷科技有限责任公司 |
主分类号: | C23C16/26 | 分类号: | C23C16/26;C23C16/458 |
代理公司: | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人: | 林超 |
地址: | 311215 浙江省杭州市萧山经济*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 沉积 生长 纳米 阵列 基底 悬浮 石英 结构 | ||
1.一种用于气相沉积生长碳纳米管阵列的基底悬浮式石英舟结构,其特征在于:所述的石英舟结构包括石英舟主体(1)和石英舟侧壁板(2)以及位于侧壁表面的多个卡槽(3),卡槽中用来放置生长碳纳米管阵列的基底;卡槽为布置于石英舟侧壁板(2)表面的截面为矩形的条形槽,条形槽的两端非封闭,多个卡槽相间隔水平平行布置且位于石英舟侧壁板(2)表面上。
2.根据权利要求1所述的一种用于气相沉积生长碳纳米管阵列的基底悬浮式石英舟结构,其特征在于:所述的石英舟主体(1)两侧上分别有一个垂直于主体的石英舟侧壁板(2),石英舟侧壁板(2)固定于石英舟主体(1)上。
3.根据权利要求1所述的一种用于气相沉积生长碳纳米管阵列的基底悬浮式石英舟结构,其特征在于:所述的石英舟主体(1)为立方体板状结构。
4.根据权利要求3所述的一种用于气相沉积生长碳纳米管阵列的基底悬浮式石英舟结构,其特征在于:所述的石英舟主体(1)的长10厘米,宽5厘米,高1厘米。
5.根据权利要求1所述的一种用于气相沉积生长碳纳米管阵列的基底悬浮式石英舟结构,其特征在于:所述侧壁长10厘米,高4厘米,宽1厘米。
6.根据权利要求1所述的一种用于气相沉积生长碳纳米管阵列的基底悬浮式石英舟结构,其特征在于:所述的卡槽(3)长10厘米,深度约为0.3厘米,单个卡槽的槽宽为0.1厘米。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的