[实用新型]一种抗共模磁干扰差分互补型hall电流传感器芯片

权利要求书

1.一种抗共模磁干扰差分互补型hall电流传感器芯片，其特征在于，所述芯片包括：

2个霍尔放大电路、第一放大器、第二放大器；2个霍尔放大电路分别为第一霍尔放大电路和第二霍尔放大电路；2个霍尔放大电路均包括：霍尔传感器、预放大器、动态失调消除电路；

霍尔传感器的正输入端与芯片的VCC端连接，霍尔传感器的负输入端与芯片的VSS端连接；霍尔传感器的正输出端与预放大器的正输入端连接，霍尔传感器的负输出端与预放大器的负输入端连接；预放大器的正输出端与动态失调消除电路的正输入端连接，预放大器的负输出端与动态失调消除电路的负输入端连接；其中，第一霍尔放大电路中的动态失调消除电路的正输出端和第二霍尔放大电路中的动态失调消除电路的正输出端分别与第一放大器的正输入端连接；第一霍尔放大电路中的动态失调消除电路的负输出端和第二霍尔放大电路中的动态失调消除电路的负输出端分别与第二放大器的正输入端连接；第一放大器的负输入端与第二放大器的负输入端连接；第一放大器的输出端与芯片OUTP端连接；第二放大器的输出端与芯片OUTN端连接。

2.根据权利要求1所述的抗共模磁干扰差分互补型hall电流传感器芯片，其特征在于，第一霍尔放大电路中的动态失调消除电路的正输出端和第二霍尔放大电路中的动态失调消除电路的正输出端分别与第一电阻连接后均与第一放大器的正输入端连接。

3.根据权利要求1所述的抗共模磁干扰差分互补型hall电流传感器芯片，其特征在于，第一霍尔放大电路中的动态失调消除电路的负输出端和第二霍尔放大电路中的动态失调消除电路的负输出端分别与第二电阻连接后均与第二放大器的正输入端连接。

4.根据权利要求1所述的抗共模磁干扰差分互补型hall电流传感器芯片，其特征在于，第一放大器的负输入端与第三电阻连接后与第二放大器的负输入端连接。

5.根据权利要求1所述的抗共模磁干扰差分互补型hall电流传感器芯片，其特征在于，第一放大器的输出端与第一放大器的负输入端之间连接有第四电阻。

6.根据权利要求1所述的抗共模磁干扰差分互补型hall电流传感器芯片，其特征在于，第二放大器的输出端与第二放大器的负输入端之间连接有第五电阻。

7.根据权利要求1所述的抗共模磁干扰差分互补型hall电流传感器芯片，其特征在于，所述芯片还包括温度补偿电路、振荡器电路、灵敏度修调电路，温度补偿电路与预放大器连接，灵敏度修调电路与预放大器连接，振荡器电路与温度补偿电路连接。

8.根据权利要求1所述的抗共模磁干扰差分互补型hall电流传感器芯片，其特征在于，霍尔传感器通过集成导线集成在芯片内，集成导线串联焊接在芯片的待测通路内。

9.根据权利要求1所述的抗共模磁干扰差分互补型hall电流传感器芯片，其特征在于，芯片具有2个hall感应通道。

10.根据权利要求9所述的抗共模磁干扰差分互补型hall电流传感器芯片，其特征在于，2个hall感应通道的磁感应增益大小相同，共模增益方向相反。