[实用新型]一种基于折线形热敏感线的红外探测器有效
| 申请号： | 201921116410.7 | 申请日： | 2019-07-17 |
| 公开（公告）号： | CN209766452U | 公开（公告）日： | 2019-12-10 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 金华伏安光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/101 | 分类号： | H01L31/101;H01L31/0216;H01L31/028 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 322200 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 热敏感 石墨烯薄膜 衬底 本实用新型 红外探测器 侧面延伸 电极连接 折线形状 灵敏度 上表面 谐振腔 折线形 电极 红外线 穿过 覆盖 吸收 | ||
【权利要求书】：
1.一种基于折线形热敏感线的红外探测器，包括衬底、热敏感线、石墨烯薄膜、电极，电极连接热敏感线，其特征在于：在所述衬底的上表面设有凹槽，所述热敏感线置于衬底上，沿所述凹槽的侧面延伸到所述凹槽的底部，形成折线形状，所述石墨烯薄膜覆盖在所述热敏感线所在的最高平面上。
2.如权利要求1所述的基于折线形热敏感线的红外探测器，其特征在于：所述凹槽为梯形。
3.如权利要求1所述的基于折线形热敏感线的红外探测器，其特征在于：所述凹槽为楔形。
4.如权利要求2-3任一项所述的基于折线形热敏感线的红外探测器，其特征在于：所述凹槽的深度大于400纳米。
5.如权利要求4所述的基于折线形热敏感线的红外探测器，其特征在于：在所述衬底的上表面、热敏感线下部，设置有石墨烯层。
6.如权利要求5所述的基于折线形热敏感线的红外探测器，其特征在于：所述衬底为氮化硅材料。
7.如权利要求6所述的基于折线形热敏感线的红外探测器，其特征在于：所述热敏感线为非晶硅或氧化钒材料。
8.如权利要求7所述的基于折线形热敏感线的红外探测器，其特征在于：在所述凹槽中、热敏感线上设有贵金属颗粒。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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