[实用新型]一种载带芯片用开机关机重置电路有效

专利信息
申请号: 201921116574.X 申请日: 2019-07-16
公开(公告)号: CN210691250U 公开(公告)日: 2020-06-05
发明(设计)人: 蔡水河 申请(专利权)人: 常州欣盛半导体技术股份有限公司
主分类号: G06F1/24 分类号: G06F1/24;G06F1/26;H02M3/06;H02J7/00
代理公司: 北京驰纳智财知识产权代理事务所(普通合伙) 11367 代理人: 蒋路帆
地址: 213000 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 芯片 开机 关机 重置 电路
【权利要求书】:

1.一种开机关机重置电路,其特征在于,包括:

分压模块、一级正反器模块、储能模块和二级正反器模块;其中

所述分压模块适于对供电电源进行分压,并将第一节点电压传输至所述一级正反器模块;

所述储能模块的一端与供电电源相连,其另一端与一级正反器模块、二级正反器模块之间的第二节点电压相连;

开机时,第一节点电压适于随着供电电源的上升而上升,以触发一级正反器模块正向导通;

在一级正反器模块正向导通后,储能模块开始储存能量,使第二节点电压逐渐减小,以触发二级正反器模块反向导通输出开机重置电压;以及

关机时,第一节点电压适于随着供电电源的下降而下降,以触发一级正反器模块反向导通;

在一级正反器模块反向导通后,二级正反器模块正向导通输出关机重置电压。

2.根据权利要求1所述的一种开机关机重置电路,其特征在于,

所述分压模块包括:电阻R1和电阻R2;

供电电源依次经电阻R1、电阻R2接地,且电阻R1与电阻R2之间的电压作为所述第一节点电压。

3.根据权利要求2所述的一种开机关机重置电路,其特征在于,

所述一级正反器模块包括:第一PMOS管和第一NMOS管;

所述第一PMOS管的栅极接入所述第一节点电压,其源极与供电电源连接;

所述第一NMOS管的栅极接入所述第一节点电压,其源极接地;以及

所述第一PMOS管的漏极与第一NMOS管的漏极均接入二级正反器模块。

4.根据权利要求3所述的一种开机关机重置电路,其特征在于,

所述二级正反器模块包括:第二PMOS管和第二NMOS管;

所述第二PMOS管的栅极接入一级正反器模块的输出,其源极与供电电源连接;

所述第二NMOS管的栅极接入一级正反器模块的输出,其源极接地;以及

所述第二PMOS管的漏极与第二NMOS管的漏极相连,且所述第二PMOS管的漏极与第二NMOS管的漏极之间的电压作为所述开机重置电压或所述关机重置电压。

5.根据权利要求4所述的一种开机关机重置电路,其特征在于,

所述储能模块包括:电解电容;

所述电解电容的一端与供电电源相连,其另一端与第二节点电压相连。

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