[实用新型]半导体设备及其加热装置

权利要求书

1.一种用于加热挡板的加热装置，其特征在于，包括：加热部；

所述加热部包括用于与所述挡板相抵接的壳体以及设置在所述壳体内的电热丝；

其中，所述加热装置能将所述挡板加热至预设温度，所述预设温度大于或等于100℃。

2.根据权利要求1所述的加热装置，其特征在于，所述壳体的外轮廓为平板状，所述电热丝在所述壳体内蜿蜒延伸。

3.根据权利要求2所述的加热装置，其特征在于，所述壳体的外轮廓为半圆形的平板状，所述壳体的圆心处设置有一缺口；

所述加热装置包括两个加热部，在安装状态下两个所述加热部拼接成圆形，两个所述缺口形成供所述挡板上的支撑柱通过的通孔。

4.根据权利要求3所述的加热装置，其特征在于，所述加热部还包括设置在所述壳体内的多条热管，所述热管内填充有毛细结构以及工作流体；

所述热管从所述缺口附近径向向外延伸，相邻两条所述热管之间的夹角相等。

5.根据权利要求2所述的加热装置，其特征在于，所述壳体与所述挡板相抵接的表面设置成波浪状，以增大所述壳体与所述挡板之间的接触面积。

6.一种半导体设备，其特征在于，包括：

反应腔室，设置有开口；

挡板，用于启闭所述开口；

如权利要求1至5中任一项所述的加热装置，安装于所述挡板。

7.如权利要求6所述的半导体设备，其特征在于，所述预设温度的取值范围为110℃到130℃。

8.如权利要求7所述的半导体设备，其特征在于，所述预设温度为120℃。

9.如权利要求6所述的半导体设备，其特征在于，所述半导体设备还包括用于承载晶圆的晶舟；

所述晶舟从所述开口进出所述反应腔室，所述晶舟处于所述反应腔室外时所述挡板关闭所述开口。

10.如权利要求6至9中任一项所述的半导体设备，其特征在于，仅当所述挡板关闭所述开口时，所述加热装置才对所述挡板加热。

11.如权利要求10所述的半导体设备，其特征在于，所述半导体设备还包括感应开关；

所述感应开关能感应到所述挡板是否关闭所述开口，若感应到挡板关闭开口则所述感应开关打开所述加热装置，若感应到挡板没有关闭开口则所述感应开关关闭所述加热装置。

12.如权利要求11所述的半导体设备，其特征在于，所述半导体设备还包括第一驱动机构，

所述第一驱动机构包括支撑架、与所述支撑架之间转动连接的摆杆以及用于驱动所述摆杆摆动的第一电机；

所述挡板安装在所述摆杆上，并随着所述挡板的摆动而启闭所述开口。

13.如权利要求12所述的半导体设备，其特征在于，所述感应开关安装在所述支撑架与所述摆杆之间的连接处，根据测量所述摆杆摆动的角度来判断所述挡板是否关闭所述开口。

14.如权利要求12所述的半导体设备，其特征在于，所述挡板为圆形板，所述挡板还包括从挡板的中心向背离反应腔室的方向延伸的支撑柱；

所述支撑柱的连接到所述摆杆上。