[实用新型]单晶硅局域SOI衬底及光电器件有效
| 申请号： | 201921122280.8 | 申请日： | 2019-07-17 |
| 公开（公告）号： | CN210607255U | 公开（公告）日： | 2020-05-22 |
| 发明（设计）人： | 汪巍;方青;涂芝娟;曾友宏;蔡艳;余明斌 | 申请（专利权）人： | 上海新微技术研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L21/762;H01L21/84 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 罗泳文 |
| 地址： | 201800 上海市嘉定区*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 单晶硅 局域 soi 衬底 光电 器件 | ||
【权利要求书】：
1.一种单晶硅局域SOI衬底，其特征在于，包括：
硅衬底，所述硅衬底上具有局域SOI区域槽；
介质层，填充于所述局域SOI区域槽中并覆盖于所述硅衬底表面，所述介质层中具有种子槽，所述种子槽显露所述硅衬底；
单晶硅层，填充于所述种子槽并覆盖于所述介质层表面，所述单晶硅层与所述种子槽底部的硅衬底相接触。
2.根据权利要求1所述的单晶硅局域SOI衬底，其特征在于：所述局域SOI区域槽的深度介于1微米～10微米之间。
3.根据权利要求1所述的单晶硅局域SOI衬底，其特征在于：所述介质层的材料包括二氧化硅、氮氧化硅及氮化硅中的一种。
4.根据权利要求1所述的单晶硅局域SOI衬底，其特征在于：所述单晶硅层的厚度介于50纳米～5000纳米之间。
5.一种基于单晶硅局域SOI衬底的光电器件，其特征在于，包括：
如权利要求1～4任意一项所述的单晶硅局域SOI衬底；
电学器件，制备于所述硅衬底及其上方的单晶硅层上；
光学器件，制备于所述介质层上的单晶硅层上。
6.根据权利要求5所述的基于单晶硅局域SOI衬底的光电器件，其特征在于：所述电学器件包括半导体晶体管、二极管、电阻及电容中的一种或多种，所述光学器件包括光波导、有源器件及无源器件中的一种或多种。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
