[实用新型]IGBT驱动装置有效

专利信息
申请号: 201921128779.X 申请日: 2019-07-17
公开(公告)号: CN209948962U 公开(公告)日: 2020-01-14
发明(设计)人: 韩伟;周宣;祁华铭;刘锐 申请(专利权)人: 上海金脉电子科技有限公司
主分类号: H02M3/335 分类号: H02M3/335
代理公司: 31229 上海唯源专利代理有限公司 代理人: 曾耀先
地址: 200030 上海市*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 绕阻 电路 原边 副边 反激 供能 本实用新型 存储能量 副边线圈 驱动装置 原边线圈 正常功能 耦合 变压器
【权利要求书】:

1.一种IGBT驱动装置,其特征在于,包括变压器的原边绕阻电路和副边绕阻电路,且所述原边绕阻电路中的原边线圈与副边绕阻中的副边线圈耦合,且:

所述副边绕阻电路中设置有正激部分和反激部分,其中:

所述正激部分用于在所述原边绕阻电路正常供能时使用,所述反激部分用于在所述原边绕阻电路正常功能时存储能量,并在所述原边绕阻电路停止正常供能时使用。

2.根据权利要求1所述的IGBT驱动装置,其特征在于,所述正激部分包括:

依次连接的第一整流二极管、电感和第一电容,其中所述第一整流二极管的负极连接到所述副边线圈的同名端,所述第一电容的第一极板连接到所述副边线圈的异名端,还连接到地;

续流二极管,正极连接到所述第一整流二极管和电感之间,负极连接到所述副边线圈的异名端。

3.根据权利要求2所述的IGBT驱动装置,其特征在于,所述正激部分还包括:

依次连接的第一稳压二极管和第一电阻,其中所述第一稳压二极管的负极连接到所述第一电容的第一极板,所述第一电阻的另一端连接到所述第一电容的第二极板。

4.根据权利要求3所述的IGBT驱动装置,其特征在于,所述副边绕阻电路还包括:

第一三极管,基极连接到所述第一稳压二极管的正极,集电极连接到第一电容的第二极板,射极连接到一第三电容。

5.根据权利要求1所述的IGBT驱动装置,其特征在于,所述反激部分包括:

依次连接的第二整流二极管和第二电容,且所述第二整流二极管的正极连接所述副边线圈的同名端,所述第二电容的第二极板连接到所述副边线圈的异名端,还连接到地。

6.根据权利要求5所述的IGBT驱动装置,其特征在于,所述反激部分还包括:

依次连接的第二稳压二极管和第二电阻,其中所述第二稳压二极管的正极连接到所述第二电容的第二极板,第二电阻的另一端连接到所述第二电容的第一极板。

7.根据权利要求6所述的IGBT驱动装置,其特征在于,所述副边绕阻电路还包括:

第二三极管,基极连接到所述第二稳压二极管的负极,集电极连接到所述第二电容的第一极板,射极连接到一第四电容。

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