[实用新型]用于半导体处理模块的顶环

权利要求书

1.一种用于半导体处理模块的顶环，所述顶环构造成沿着所述半导体处理模块的衬底支撑件的外围放置，所述顶环的特征在于，

所述顶环的顶侧具有在所述顶环的内边缘和外边缘之间延伸的面向等离子体的表面；

所述顶环的下侧具有设置在所述顶环的所述内边缘和所述外边缘之间的通道；以及

一组凹槽设置在所述下侧上在所述通道和所述外边缘之间。

2.根据权利要求1所述的顶环，其中所述一组凹槽中的每一个由成角度的侧壁限定，其中所述成角度的侧壁形成会聚到一点的开口。

3.根据权利要求2所述的顶环，其中会聚到所述点的所述成角度的侧壁限定V形凹槽。

4.根据权利要求1所述的顶环，其中所述一组凹槽中的每一个用于连接到在所述处理模块内实施的提升销，以提升和降低所述顶环。

5.根据权利要求2所述的顶环，其中所述顶环具有径向横截面，所述径向横截面标识所述凹槽中的一个，在所述凹槽处设置有由所述成角度的侧壁形成的所述点。

6.根据权利要求1所述的顶环，其中所述顶环具有周向横截面，所述周向横截面暴露所述顶侧的所述面向等离子体的表面和所述下侧的所述通道。

7.根据权利要求1所述的顶环，其中顶侧表面经倒角处理，所述顶侧表面限定在所述顶环的所述外边缘处并连接到所述面向等离子体的表面。

8.根据权利要求1所述的顶环，其中底侧表面经圆角处理，所述底侧表面限定在所述顶环的所述外边缘处并连接到所述下侧。

9.根据权利要求1所述的顶环，其中底侧表面经圆角处理，所述底侧表面限定在所述顶环的所述内边缘处并连接到所述下侧，并且

其中顶侧表面经圆角处理，所述顶侧表面限定在所述顶环的所述内边缘处并连接到面向等离子体的表面。