[实用新型]小型化基片集成波导滤波器及其高阶滤波器

权利要求书

1.小型化基片集成波导滤波器，包括基板，其特征在于：还包括分别作为输入和输出连接到基板的微带线结构；所述基板下表面整块敷铜，所述基板上表面刻蚀有开槽结构，且开槽结构相对于基板中心呈旋转对称，并在基板上表面形成两个开口谐振器。

2.根据权利要求1所述的小型化基片集成波导滤波器，其特征在于：所述开口谐振器为开口圆环形，且通过每个开口谐振器长度以调整谐振频率。

3.根据权利要求2所述的小型化基片集成波导滤波器，其特征在于：所述开口谐振器长度为四分之一波导波长。

4.根据权利要求1所述的小型化基片集成波导滤波器，其特征在于：所述开口谐振器的开口端等效为开路，开口谐振器连接到基板上表面的端口等效为虚拟地。

5.根据权利要求1所述的小型化基片集成波导滤波器，其特征在于：所述开槽结构为S形，且各位置的槽宽等距，且通过开槽结构的槽宽宽度以控制两个谐振器之间的耦合系数。

6.根据权利要求1所述的小型化基片集成波导滤波器，其特征在于：所述基板两侧设置有周期性金属化过孔，所述基板的上下表面通过周期性金属化过孔相连接。

7.一种小型化基片集成波导高阶滤波器，其特征在于：包括上述权利要求1-6任意一项的小型化基片集成波导滤波器，并在两个开口谐振器之间开槽，且斜置有高阶谐振器；所述高阶谐振器包括两个开口圆环，且两个开口圆环之间通过与圆环等宽的微带线连接；所述高阶谐振器与两个开口谐振器组合构成耦合结构。

8.根据权利要求7所述的小型化基片集成波导高阶滤波器，其特征在于：所述耦合结构相对于基板中心呈中心旋转对称排布。

9.根据权利要求7所述的小型化基片集成波导高阶滤波器，其特征在于：所述高阶谐振器的长度和开口谐振器的长度共同控制中心频率。

10.根据权利要求7所述的小型化基片集成波导高阶滤波器，其特征在于：所述高阶谐振器的两个开口圆环与基板之间的槽宽宽度相等，两个开口谐振器与基板之间的槽宽宽度相等，可通过槽宽宽度控制耦合系数。