[实用新型]芯片封装结构

权利要求书

1.一种芯片封装结构，其特征在于，包括：

至少一个裸片，所述裸片包括裸片活性面和裸片背面；

导电结构，包括晶片导电层和面板级导电层；

保护层；

塑封层，所述塑封层用于包封所述裸片；

介电层。

2.根据权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于，

所述晶片导电层包括晶片导电迹线和晶片导电凸柱；

所述裸片活性面包括电连接点；

至少一部分所述晶片导电迹线和所述电连接点电连接；

所述晶片导电凸柱形成于所述晶片导电迹线的焊垫或连接点上。

3.根据权利要求2所述的芯片封装结构，其特征在于，至少一部分所述晶片导电迹线将所述电连接点单独引出。

4.根据权利要求2所述的芯片封装结构，其特征在于，至少一部分所述晶片导电迹线将多个所述电连接点彼此互连并引出。

5.根据权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于，所述晶片导电层包括晶片导电凸柱；

所述裸片活性面包括电连接点；

至少一部分所述晶片导电凸柱和所述电连接点电连接。

6.根据权利要求2-5任一项所述的芯片封装结构，其特征在于，

所述面板级导电层包括导电迹线和/或导电凸柱；

所述面板级导电层和所述晶片导电凸柱电连接；

所述面板级导电层为一层或多层。

7.根据权利要求6所述的芯片封装结构，其特征在于，最靠近所述裸片活性面的所述导电迹线的至少一部分形成在塑封层正面并延伸至封装体的边缘。

8.根据权利要求2-5任一项所述的芯片封装结构，其特征在于，所述裸片背面从所述塑封层暴露。

9.根据权利要求2-5任一项所述的芯片封装结构，其特征在于，介电层的表面对应于所述导电层的位置处具有凹槽。

10.根据权利要求2-5任一项所述的芯片封装结构，其特征在于，所述至少一个裸片为多个裸片，所述多个裸片之间根据产品设计进行电连接。

11.根据权利要求2-5任一项所述的芯片封装结构，其特征在于，所述保护层的材料为有机/无机复合材料。

12.根据权利要求11所述的芯片封装结构，其特征在于，所述保护层的杨氏模量为以下任一数值范围或数值：1000～20000MPa、1000～10000MPa、4000～8000MPa、5500MPa。

13.根据权利要求11所述的芯片封装结构，其特征在于，所述保护层的厚度为以下任一数值范围或数值：15～50μm、20～50μm、35μm、45μm、50μm。

14.根据权利要求11所述的芯片封装结构，其特征在于，所述保护层的热膨胀系数为以下任一数值范围或数值：3～10ppm/K、5ppm/K、7ppm/K、10ppm/K。

15.根据权利要求11所述的芯片封装结构，其特征在于，所述塑封层的热膨胀系数为以下任一数值范围或数值：3～10ppm/K、5ppm/K、7ppm/K、10ppm/K。

16.根据权利要求11所述的芯片封装结构，其特征在于，所述保护层和所述塑封层具有相同或相近的热膨胀系数。