[实用新型]一种低表面浓度深结太阳能电池片有效
| 申请号： | 201921145181.1 | 申请日： | 2019-07-22 |
| 公开（公告）号： | CN210110794U | 公开（公告）日： | 2020-02-21 |
| 发明（设计）人： | 钮阿兴;翟文杰 | 申请（专利权）人： | 宜兴锦尚太阳能科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0352 | 分类号： | H01L31/0352;H01L31/068 |
| 代理公司： | 无锡市天宇知识产权代理事务所(普通合伙) 32208 | 代理人： | 蒋何栋 |
| 地址： | 214200 江苏省无锡*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 表面 浓度 太阳能电池 | ||
【权利要求书】：
1.一种低表面浓度深结太阳能电池片，包括晶体硅片、设置于晶体硅片受光面的栅线电极以及设置于晶体硅片背光面的背电极，其特征在于，所述晶体硅片由上下分布的扩散层和基底层构成，所述扩散层分为轻掺杂区和重掺杂区，重掺杂区分布于栅线电极的栅线的下方，重掺杂区的顶端面与栅线电极的栅线的底端面重叠且大小一致，所述重掺杂区的掺杂浓度高于轻掺杂区的掺杂浓度，重掺杂区的结深高于轻掺杂区的结深。
2.根据权利要求1所述的一种低表面浓度深结太阳能电池片，其特征在于，所述重掺杂区的掺杂浓度为1.0×1020cm-3～3.0×1020cm-3，结深为600nm～800nm；所述轻掺杂区的掺杂浓度为1.0×1016cm-3～1.0×1017cm-3，结深为100nm～500nm。
3.根据权利要求1所述的一种低表面浓度深结太阳能电池片，其特征在于，所述栅线电极为正银电极；所述背电极为银铝电极。
4.根据权利要求1所述的一种低表面浓度深结太阳能电池片，其特征在于，所述晶体硅片为为P型硅片；所述扩散层为磷扩散层。
5.根据权利要求1所述的一种低表面浓度深结太阳能电池片，其特征在于，所述晶体硅片的扩散层上附着有一层氮化硅膜。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于宜兴锦尚太阳能科技有限公司，未经宜兴锦尚太阳能科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201921145181.1/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
