[实用新型]一种SIW滤波器及HMSIW滤波器有效
申请号: | 201921145341.2 | 申请日: | 2019-07-19 |
公开(公告)号: | CN212085184U | 公开(公告)日: | 2020-12-04 |
发明(设计)人: | 董元旦;朱谊龙;杨涛 | 申请(专利权)人: | 成都频岢微电子有限公司 |
主分类号: | H01P1/203 | 分类号: | H01P1/203 |
代理公司: | 成都拓荒者知识产权代理有限公司 51254 | 代理人: | 黄坤 |
地址: | 611730 四川省成都市郫都*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 siw 滤波器 hmsiw | ||
1.一种基于均匀阻抗谐振器加载的SIW滤波器,包括基板,基板包括上表面和下表面,其特征在于:还包括微带线结构;所述基板上表面设置有SIW结构,并在SIW结构中间刻蚀有矩形槽,构成均匀阻抗谐振器;所述均匀阻抗谐振器和微带线结构在基板表面形成两个终端短路的半波长谐振器,并构成二阶带通滤波器。
2.根据权利要求1所述的基于均匀阻抗谐振器加载的SIW滤波器,其特征在于:所述均匀阻抗谐振器为细长矩形,且通过均匀阻抗谐振器的长度和SIW结构宽度控制谐振频率。
3.根据权利要求1所述的基于均匀阻抗谐振器加载的SIW滤波器,其特征在于:所述微带线结构包括分别作为输入和输出端的微带线,且微带线贴近SIW结构的一端设置有耦合馈电线,且耦合馈电线与微带线结构垂直。
4.根据权利要求3所述的基于均匀阻抗谐振器加载的SIW滤波器,其特征在于:所述耦合馈电线与SIW结构之间留有间距,且通过该间距和耦合馈电线的长度控制外部品质因素。
5.根据权利要求1所述的基于均匀阻抗谐振器加载的SIW滤波器,其特征在于:所述基板两端均设置有多个金属化过孔,且基板的上下表面通过多个金属化过孔连接。
6.一种基于均匀阻抗谐振器加载的HMSIW滤波器,其特征在于:包括基板、设置在基板上的HMSIW结构,并在HMSIW结构两侧设置有微带线结构;所述HMSIW结构中间刻蚀有矩形槽,构成均匀阻抗谐振器;所述均匀阻抗谐振器和微带线结构形成两个短路的四分之一波长谐振器,由此构成一个二阶滤波器。
7.根据权利要求6所述的基于均匀阻抗谐振器加载的HMSIW滤波器,其特征在于:所述均匀阻抗谐振器为细长矩形,且通过均匀阻抗谐振器的长度和HMSIW结构宽度控制谐振频率。
8.根据权利要求6所述的基于均匀阻抗谐振器加载的HMSIW滤波器,其特征在于:所述微带线结构包括分别作为输入和输出端的微带线,且微带线贴近HMSIW结构的一端设置有耦合馈电线,且耦合馈电线与微带线结构垂直。
9.根据权利要求6所述的基于均匀阻抗谐振器加载的HMSIW滤波器,其特征在于:所述基板一端设置有多个金属化过孔,且所述基板的上下层通过多个金属化过孔连接。
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