[实用新型]一种多层式底插电极结构有效
申请号: | 201921146426.2 | 申请日: | 2019-07-19 |
公开(公告)号: | CN210945324U | 公开(公告)日: | 2020-07-07 |
发明(设计)人: | 邹岩辉;杨万嘉;韩东;康明;罗剑超 | 申请(专利权)人: | 四川省玻纤集团有限公司 |
主分类号: | C03B5/02 | 分类号: | C03B5/02;C03B5/235 |
代理公司: | 成都睿道专利代理事务所(普通合伙) 51217 | 代理人: | 薛波 |
地址: | 61850*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 多层 式底插 电极 结构 | ||
1.一种多层式底插电极结构,其特征在于:包括至少两层高度不同的电极组,每个所述电极组包括至少包括两套不同相位的电极组件,所述电极组件设于池窑底部。
2.根据权利要求1所述的多层式底插电极结构,其特征在于:同一所述电极组中的相邻所述电极组件的间距为600-2000mm。
3.根据权利要求1所述的多层式底插电极结构,其特征在于:所述电极组件包括电极和冷却水套,所述池窑的底壁设有安插孔,所述冷却水套套设于所述电极的外壁,所述电极插设于所述安插孔,且所述冷却水套与所述安插孔的外壁抵接。
4.根据权利要求1所述的多层式底插电极结构,其特征在于:所述电极的顶部与所述池窑内玻璃液面的间距为100mm-600mm。
5.根据权利要求3所述的多层式底插电极结构,其特征在于:所述电极的材质为钼或氧化锡。
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