[实用新型]一种多工位碳化硅晶体生长装置

说明书

本实用新型公开了一种多工位碳化硅晶体生长装置，包括至少两个生长机构；每个生长机构均包括装料仓、与装料仓连通的生长腔、可沿装料仓和生长腔的排列方向来回运动的设于装料仓和生长腔中的坩埚、用于驱动坩埚来回运动的驱动机构、用于为生长腔加热的加热机构；装置还包括用于同时为至少两个加热机构供电的电源机构、用于同时为至少两个装料仓抽真空的抽真空机构、设于抽真空机构与每个装料仓之间的隔离阀。本实用新型一种多工位碳化硅晶体生长装置，至少两个晶体生长机构共用电源机构和抽真空机构，不仅能够实现对每个生长腔中坩埚的精确控温以生长出优质的晶体，还节约了晶体生长装置的配置和空间利用，降低了设备成本，有利于规模化生产。

技术领域

本实用新型涉及一种多工位碳化硅晶体生长装置。

背景技术

物理气相输运法（PVT法）是碳化硅单晶生长的主要技术方法，该方法是将碳化硅多晶原料装在筒形石墨坩埚本体底部，用石墨坩埚盖将石墨坩埚本体盖上，形成一个密闭空间，石墨坩埚盖下表面安装有碳化硅籽晶，通过对石墨坩埚本体、石墨坩埚盖组成的系统进行加热，使石墨坩埚本体内的碳化硅多晶原料升华，并维持碳化硅多晶原料与碳化硅籽晶间具有合适的温度梯度，升华后的碳化硅粒子就会在碳化硅籽晶上沉积生长，从而获得碳化硅单晶。

现有的用于碳化硅单晶生长装置，每一台生长装置都独立配备一个加热电源和一个高真空机组，不但成本较高，而且占用空间较大，不利于规模化配置生产。

在同一个生长腔中同时对多个坩埚进行加热长晶，能耗较大，且无法单独的精确控制每个坩埚的温度，影响长晶的质量。

发明内容

本实用新型的目的是提供一种多工位碳化硅晶体生长装置，节约了晶体生长装置的配置和空间利用，降低了设备成本，有利于规模化生产。

为达到上述目的，本实用新型采用的技术方案是：

一种多工位碳化硅晶体生长装置，包括至少两个生长机构；

每个所述生长机构均包括装料仓、与所述装料仓连通的生长腔、可沿所述装料仓和所述生长腔的排列方向来回运动的设于所述装料仓和所述生长腔中的坩埚、用于驱动所述坩埚来回运动的驱动机构、用于为所述生长腔加热的加热机构；

所述装置还包括用于同时为至少两个所述加热机构供电的电源机构、用于同时为至少两个所述装料仓抽真空的抽真空机构、设于所述抽真空机构与每个所述装料仓之间的隔离阀。

优选地，所述装置还包括升降机构，所述升降机构用于同时升降至少两个所述加热机构。

更优选地，所述升降机构包括用于连接至少两个所述加热机构的连接板、用于驱动所述连接板升降的升降块。

优选地，所述加热机构为可升降的设于所述生长腔内部或外部的感应加热线圈或可升降的设于所述生长腔内部的电阻加热器。

优选地，所述装置包括机架，所述生长腔、所述装料仓、所述驱动机构从上往下依次排列的设于所述机架上。

更优选地，所述驱动机构包括可升降的穿设于所述装料仓和所述生长腔中的升降杆、设于所述机架上的用于驱动所述升降杆的驱动座。

更进一步优选地，所述升降杆可绕自身轴心线方向转动的设于所述驱动座中。

优选地，至少两个所述加热机构通过并联或串联的形式与所述电源机构连接。

由于上述技术方案的运用，本实用新型与现有技术相比具有下列优点：本实用新型一种多工位碳化硅晶体生长装置，至少两个晶体生长机构共用电源机构和抽真空机构，不仅能够实现对每个生长腔中坩埚的精确控温以生长出优质的晶体，还节约了晶体生长装置的配置和空间利用，降低了设备成本，有利于规模化生产。

附图说明

附图1为本实用新型装置的正视图；