[实用新型]一种双线圈多触点式电磁继电器有效
申请号: | 201921156192.X | 申请日: | 2019-07-22 |
公开(公告)号: | CN210156324U | 公开(公告)日: | 2020-03-17 |
发明(设计)人: | 唐俊平 | 申请(专利权)人: | 三友联众集团股份有限公司 |
主分类号: | H01H50/44 | 分类号: | H01H50/44;H01H47/02 |
代理公司: | 东莞市华南专利商标事务所有限公司 44215 | 代理人: | 田小伟 |
地址: | 523000 广东省*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 双线 触点 电磁 继电器 | ||
1.一种双线圈多触点式电磁继电器,包括电磁铁组件、触点组件及活动设置的推动组件,触点组件包括主触点单元及副触点单元,电磁铁组件用于驱动推动组件移动,移动的推动组件驱动主触点单元及副触点单元导通或断开;其特征在于:电磁铁组件包括启动线圈、保持线圈及控制模块,启动线圈与保持线圈并联设置,启动线圈的电阻值小于保持线圈的电阻值,外界的供电源用于向启动线圈及保持线圈供电,控制模块用于调控启动线圈与供电源的导通或断开。
2.根据权利要求1所述的双线圈多触点式电磁继电器,其特征在于:所述触点组件还包括固定架,主触点单元包括设置于固定架的两个主触头;副触点单元包括设置于固定架的至少两个第一副触头及至少两个导电片,第一副触头与导电片一一对应,导电片具有弹性夹,第一副触头具有插入弹性夹内的导接部,弹性夹夹持导通导接部;推动组件具有活动设置的推杆单元,推杆单元具有动点块及推片,动点块用于导通两个主触头,推片用于驱动第一个导电片导通或断开第二个导电片。
3.根据权利要求2所述的双线圈多触点式电磁继电器,其特征在于:所述固定架包括陶瓷壳、绝缘体及第一螺钉,主触头、第一副触头焊接在陶瓷壳上,第一螺钉用于将导电片固定在绝缘体上,绝缘体设有用于容设弹性夹及导接部的第一盲孔,第一盲孔的内孔壁用于挡止限位弹性夹。
4.根据权利要求3所述的双线圈多触点式电磁继电器,其特征在于:所述第一副触头具有与导接部连接的主体部,主体部的外径大于导接部的外径,主体部靠近导接部一端的端面用于抵触陶瓷壳的外表面,导接部贯穿陶瓷壳并伸入弹性夹内,导接部的自由端设有便于伸入弹性夹内的导引斜面。
5.根据权利要求2所述的双线圈多触点式电磁继电器,其特征在于:所述电磁继电器还包括绝缘外壳、绝缘盖体及第二螺钉,绝缘外壳具有用于容设电磁铁组件、触点组件及推动组件的第二盲孔,第二螺钉用于将绝缘盖体固定在绝缘外壳上,绝缘盖体遮盖第二盲孔的开口并用于将电磁铁组件、触点组件及推动组件封装在第二盲孔内,主触头突伸出绝缘盖体;副触点单元还包括至少两个第二副触头及至少两个导线,第一副触头、导电片、第二副触头、导线一一对应,导线的两端分别焊接至第一副触头及第二副触头,第二副触头设置于绝缘外壳或/和绝缘盖体并突伸出绝缘盖体。
6.根据权利要求5所述的双线圈多触点式电磁继电器,其特征在于:所述第一副触头、第二副触头均包括第一凹孔及与第一凹孔连通的第二凹孔,第一凹孔自副触头的端面凹设而成,第二凹孔自副触头的侧表面凹设而成,导线容设在第一凹孔内,外界的焊锡经由第二凹孔进入第一凹孔内进而将导线焊接在副触头上。
7.根据权利要求3所述的双线圈多触点式电磁继电器,其特征在于:所述绝缘体具有第一盲槽及自第一盲槽的内侧壁凹设的第二盲槽,导电片的侧壁突设有凸翅片,第一盲槽用于容设导电片,第二盲槽用于容设凸翅片。
8.根据权利要求1所述的双线圈多触点式电磁继电器,其特征在于:所述控制模块包括绝缘支架、控制电路板及第三螺钉,电磁铁组件具有定位孔,绝缘支架具有突伸入定位孔内的定位柱,第三螺钉用于将控制电路板固定在绝缘支架上,绝缘支架具有用于容设控制电路板的第三盲槽,控制电路板用于调控启动线圈与供电源的导通或断开。
9.根据权利要求2所述的双线圈多触点式电磁继电器,其特征在于:所述推杆单元还包括推杆件、绝缘滑块、复位弹簧、超行程弹簧及衔铁,绝缘滑块滑动设置于推杆件的一端,动点块设置于绝缘滑块,超行程弹簧套设于推杆件的外侧,推片设置于推杆件,超行程弹簧的两端分别抵触绝缘滑块及推片,复位弹簧套设于推杆件的外侧,衔铁设置于推杆件的另一端,复位弹簧的两端分别抵触衔铁及电磁铁组件。
10.根据权利要求1所述的双线圈多触点式电磁继电器,其特征在于:所述控制模块具有控制电路,供电源经由控制电路施加至启动线圈,控制电路包括第一电阻、第一电容、第二电阻、第一二极管、MOS管、第二二极管、第二电容、第三电阻,第一电阻、第一电容、第二电阻、MOS管串联设置形成主电路,供电源经由主电路施加至启动线圈,第一二极管的正极接地,第一电阻、第一电容之间的导通处与第一二极管的负极导通,第二二极管、第三电阻串联形成副电路,第二电容与第二二极管并联设置,第二电容与第三电阻并联设置,第二电阻、MOS管之间的导通处与第三电阻的一端导通,第三电阻的另一端接地。
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