[实用新型]一种功率管栅极驱动电路

权利要求书

1.一种功率管栅极驱动电路，包括分别用于对高侧功率管、低侧功率管进行栅极控制的高侧驱动电路与低侧驱动电路，以及上电保护电路；其特征在于，所述上电保护电路为包含耗尽型JFET器件的JFET上电保护电路，所述JFET上电保护电路通过检测电源电压的值控制耗尽型JFET器件的开关状态，耗尽型JFET器件根据电源电压的改变，调整自身耗尽层宽度以调节电流支路的通断，从而达到在母线上电时防止功率管误开启，母线上电后减少电路功耗的目的。

2.如权利要求1所述功率管栅极驱动电路，所述JFET上电保护电路由均为耗尽型P沟道JFET器件的第一JFET器件、第二JFET器件构成；第一JFET器件的栅极连接高侧电源，第一JFET器件的漏极与高侧驱动电路输出端、高侧功率管的栅极连接，第一JFET器件的源极连接高侧地，第二JFET器件的栅极连接低侧电源，第二JFET器件的漏极与低侧驱动电路输出端、低侧功率管的栅极连接，第二JFET器件的源极连接低侧地。

3.如权利要求2所述功率管栅极驱动电路，所述第一JFET器件的栅源击穿电压大于高侧电源与高侧地的电压差值，所述第一JFET器件的栅源夹断电压小于高侧电源与高侧地的电压差值，所述第一JFET器件的最大漏源电压大于高侧输出的高电平与高侧地的电压差值，所述第二JFET器件的栅源击穿电压大于低侧电源与低侧地的电压差值，所述第二JFET器件的栅源夹断电压小于低侧电源与低侧地的电压差值，所述第二JFET器件的最大漏源电压大于低侧输出的高电平与高侧地的电压差值。

4.如权利要求1所述功率管栅极驱动电路，其特征在于，所述JFET上电保护电路由均为耗尽型N沟道JFET器件的第一JFET器件、第二JFET器件，以及第一电阻、第二电阻构成；第一JFET器件的漏极与高侧驱动电路输出端、高侧功率管的栅极连接，第一JFET器件的源极与第一电阻的一端连接，第一电阻的另一端与第一JFET器件的栅极、高侧地连接，第二JFET器件的漏极与低侧驱动电路输出端、低侧功率管的栅极连接，第二JFET器件的源极与第二电阻的一端连接，第二电阻的另一端与第二JFET器件的栅极、低侧地连接。

5.如权利要求4所述功率管栅极驱动电路，其特征在于，所述第一JFET器件的栅源击穿电压大于第一电阻上的最大压降值，所述第一JFET器件的最大漏源电压大于高侧输出的高电平与高侧地的电压差值，所述第二JFET器件的栅源击穿电压大于第二电阻上的最大压降值，所述第二JFET器件的最大漏源电压大于低侧输出的高电平与高侧地的电压差值。