[实用新型]谐振式传感器有效

专利信息
申请号: 201921158457.X 申请日: 2019-07-19
公开(公告)号: CN210741516U 公开(公告)日: 2020-06-12
发明(设计)人: 杨斌堂;刘鲁楠;杨诣坤 申请(专利权)人: 上海交通大学
主分类号: G01D5/14 分类号: G01D5/14;G01L1/10;G01L1/16;G01L1/12;G01L9/00;G01L9/08;G01L9/16
代理公司: 上海汉声知识产权代理有限公司 31236 代理人: 庄文莉
地址: 200240 *** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 谐振 传感器
【说明书】:

本实用新型提供了一种谐振式传感器,包括谐振元件(1)、激励线圈(2)、敏感体(5)、壳体(7)、前端盖(8)、后端盖(10)、占位圆柱(11)以及感测件(14);谐振元件(1)输出力和位移并作用于敏感体(5),敏感体(5)输出第一检测信号;感测件(14)感测到外界物理量的变化使得谐振元件(1)的固有频率发生变化时,谐振元件(14)输出的力和位移发生变化,敏感体输出第二检测信号,从而实现不同物理量的检测。本实用新型创新性地使用智能材料作为谐振元件和敏感体,将被测量直接转化为敏感体的输出,提高了传感器的灵敏度、结构紧凑度和传感精度。

技术领域

本实用新型涉及检测传感器技术领域,具体地,涉及一种谐振式传感器。

背景技术

谐振式传感器通过被测量调制谐振元件的谐振频率、幅值或者相位进行测量。谐振式传感器具有大的动态范围,很高的灵敏度、重复性和很小的滞后。利用谐振式传感器进行精密传感成为一个很有潜力的领域。

专利文献CN208902313U公开了一种谐振式压力传感器,包括硅晶圆,薄膜部分,谐振部分,谐振部分固定点,背孔,盖帽,吸气剂层,支撑硅层,埋层氧化层,顶层硅薄膜,多晶硅薄膜和氧化层薄膜交替淀积膜;SOI晶圆是由顶层硅薄膜、埋层氧化层和支撑硅层组成;以硅晶圆或是SOI晶圆作为衬底,形成谐振式压力传感器的薄膜部分,或者在SOI晶圆衬底上由顶层硅薄膜和多晶硅薄膜和氧化层薄膜交替淀积膜,形成谐振式压力传感器的薄膜部分。一种谐振式压力传感器的制作工艺,谐振部分是通过淀积外延/多晶硅层实现的,衬底通过刻蚀工艺形成流体进入到薄膜的通道-谐振式压力传感器的背孔。但该谐振式传感器加工复杂、成本高。

专利文献CN105203234B公开了一种谐振式压力传感器。该包括:传感器本体,在该传感器本体的底部形成压力敏感膜;在该压力敏感膜上形成有两谐振器-第一谐振器和第二谐振器,其中,该两谐振器具有相同的固有频率,且两者对作用于压力敏感膜上的压力P的灵敏度大小相等,第一谐振器位于压力敏感膜的中央位置,第二敏感膜位于压力敏感膜的边缘位置,但该设计检测量单一。

实用新型内容

针对现有技术中的缺陷,本实用新型的目的是提供一种谐振式传感器。

根据本实用新型提供的一种谐振式传感器,包括谐振元件1、激励线圈2、敏感体5、壳体7、前端盖8、后端盖10、占位圆柱11以及感测件14;

所述壳体7、前端盖8、后端盖10围成容纳空间16;

谐振元件1、敏感体5、感测件14依次设置在容纳空间16中,感测件14延伸至前端盖8的外侧;

占位圆柱11设置在容纳空间16中并设置在谐振元件1的外侧;

激励线圈2缠绕在谐振元件1上;

谐振元件1和敏感体5为同一元件或不同元件。

优选地,还包括导磁后盖9、永磁体13、碟簧15;

导磁后盖9设置在谐振元件1与后端盖10之间;

导磁后盖9分别与谐振元件1与后端盖10接触连接;

永磁体13设置在谐振元件1和占位圆柱11之间并设置在导磁后盖9上;

碟簧15设置在前端盖8和感测件14之间;

碟簧15的两端分别与前端盖8和感测件14紧固连接。

优选地,还包括感测体4和球形外壳12;

感测体4与感测件14紧固连接;

感测体4和球形外壳12共同围成球形;

壳体7、前端盖8、后端盖10设置在感测体4和球形外壳12的内部。

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