[实用新型]一种具有四支撑悬梁结构的电阻式半导体气体传感器有效
| 申请号： | 201921159036.9 | 申请日： | 2019-07-22 |
| 公开（公告）号： | CN210626385U | 公开（公告）日： | 2020-05-26 |
| 发明（设计）人： | 张晓;徐瑶华;刘皓;赵文瑞;魏峰 | 申请（专利权）人： | 有研工程技术研究院有限公司 |
| 主分类号： | G01N27/12 | 分类号： | G01N27/12;G01N27/30 |
| 代理公司： | 北京北新智诚知识产权代理有限公司 11100 | 代理人： | 刘秀青 |
| 地址： | 101407 北京市怀*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 具有 支撑 悬梁 结构 电阻 半导体 气体 传感器 | ||
【权利要求书】：
1.一种具有四支撑悬梁结构的电阻式半导体气体传感器，其特征在于，该传感器结构自下而上依次包括：
硅衬底层，其中部有凹槽作为隔热腔体；
支撑层，其包括支撑悬梁和绝缘区，绝缘区位于硅衬底层隔热腔体上方，绝缘区通过四根支撑悬梁与硅衬底层相连；
电极层，其包括加热电极、叉指电极、供电引线和测试引线，加热电极呈折线形分布于绝缘区两侧，并通过供电引线与供电电极相连；叉指电极分布于绝缘区中心，并通过测试引线与测试电极相连；
气敏层，其覆盖于叉指电极上，并与所述叉指电极电连接。
2.根据权利要求1所述的具有四支撑悬梁结构的电阻式半导体气体传感器，其特征在于，所述硅衬底层中部凹槽的截面形状为V字形或圆弧形。
3.根据权利要求1所述的具有四支撑悬梁结构的电阻式半导体气体传感器，其特征在于，所述支撑层为SiO2/Si3N4或SiO2/Si3N4/SiO2复合膜结构，绝缘区的形状为矩形。
4.根据权利要求1所述的具有四支撑悬梁结构的电阻式半导体气体传感器，其特征在于，所述加热电极设置在叉指电极的两侧。
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