[实用新型]一种光伏硅片超声清洗设备有效
申请号: | 201921165562.6 | 申请日: | 2019-07-24 |
公开(公告)号: | CN210006701U | 公开(公告)日: | 2020-01-31 |
发明(设计)人: | 冯艳红 | 申请(专利权)人: | 天津创昱达光伏科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L31/18;B08B3/12;B08B3/04;B08B3/14 |
代理公司: | 11562 北京东方盛凡知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人: | 宋平 |
地址: | 301803 天津市*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 超声清洗槽 排水槽 搅拌轴 进水管 固定设置 排污电机 支撑网格 架板 扇叶 连通 排污 超声清洗设备 本实用新型 清洗液储箱 排水管 光伏硅片 焊接连接 进水阀门 清洗效果 供水泵 开口槽 两侧壁 硅片 伸入 通槽 溢流 转轴 对称 贯通 水资源 节约 申请 | ||
本申请公开了一种光伏硅片超声清洗设备,包括排水槽;排水槽内设置有超声清洗槽;排水槽的底部设置有排污电机;排污电机的转轴上焊接连接有搅拌轴;搅拌轴贯通伸入超声清洗槽内设置;搅拌轴的端部设置有排污扇叶;超声清洗槽连通的设置有进水管;进水管连通至清洗液储箱;进水管上设置有供水泵及进水阀门;排水槽设置有排水管;排污扇叶的上方固定设置有支撑网格;支撑网格的上方固定设置有架板;架板上均匀的开设有若干硅片通槽;超声清洗槽相对的两侧壁顶端对称的设置有溢流开口槽。本实用新型结构简单,清洗效果好,节约水资源。
技术领域
本公开一般涉及超声波清洗技术领域,尤其涉及一种光伏硅片超声清洗设备。
背景技术
光伏是太阳能光伏发电系统的简称,是一种利用太阳电池半导体材料的光伏效应,将太阳光辐射能直接转换为电能的一种新型发电系统,其中所使用的半导体器件生产中硅片须经严格清洗。
目前,一般采用超声波清洗机来清洗硅片,清洗槽上开有去离子水进水口和出水口,清洗槽中保持有一定量的去离子水,并且去离子水始终处于流动状态,用水量较大。现有的超声波清洗机在超声波清洗时,硅片表面的各种杂质逐渐脱离,悬浮在去离子水中,仅仅通过出水口难以将大量杂质及时排到清洗槽外,这就造成清洗工作完成后,从清洗槽中取出硅片时,悬浮于去离子水中的部分杂质又重新吸附于硅片表面,清洗效果不佳。
实用新型内容
鉴于现有技术中的上述缺陷或不足,期望提供一种结构简单,清洗效果好,节约水资源的光伏硅片超声清洗设备。
本实用新型提供的一种光伏硅片超声清洗设备,包括排水槽;排水槽内固定设置有超声清洗槽;排水槽的底部设置有转轴竖直向上的排污电机;排污电机的转轴上焊接连接有竖直的搅拌轴;搅拌轴远离排污电机的一端,贯通排水槽及超声清洗槽伸入超声清洗槽内设置;搅拌轴伸入超声清洗槽内的端部固定设置有排污扇叶;
排水槽的一侧设置有清洗液储箱;超声清洗槽的侧壁底端连通的设置有进水管;进水管远离超声清洗槽的一端贯通排水槽连通至清洗液储箱;进水管上设置有供水泵;进水管上位于供水泵与排水槽之间设置有进水阀门;排水槽的侧壁底端连通的设置有排水管;
排污扇叶的上方固定设置有水平的支撑网格;支撑网格的上方固定设置有水平的架板;架板上均匀的开设有若干硅片通槽;超声清洗槽相对的两侧壁顶端对称的设置有溢流开口槽。
优选的,排水槽的一侧设置有过滤器;排水管远离排水槽的一端连通至过滤器的输入端。
优选的,排水管上设置有排水阀门。
优选的,排水槽的底端设置有排水槽支架;排水槽支架上设置有排污电机支架;排污电机固定设置于排污电机支架上。
优选的,搅拌轴贯通所述排水槽处固定设置有第一密封圈;所述搅拌轴贯通所述超声清洗槽处固定设置有第二密封圈。
优选的,进水管贯通所述排水槽处固定设置有第三密封圈。
相对于现有技术而言,本申请的有益效果是:
本实用新型的光伏硅片超声清洗设备设置有排水槽,排水槽内设置有超声清洗槽,超声清洗槽内设置有支撑网格和硅片通槽,结构简单,待清洗的硅片放入硅片通槽内间隔开进行清洗,清洗效果更好;
清洗时,通过进水管将清洗液放入超声清洗槽内,然后关闭进水阀门,超声清洗一段时间后,再打开进水阀门继续向超声清洗槽内灌入清洗液,同时启动排污电机,排污扇叶将清洗下的污垢带动至清洗液表面,随着清洗液的灌入,从两侧的溢流开口槽处流出进入排水槽,清理污垢一段时间后,关闭排污电机及进水阀门,再次超声清洗一段时间,然后重复上面的排污过程,经几次清洗后,污垢被排入排水槽,硅片被彻底清洗干净,取出时,不会受到二次污染,清洗效果好;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造