[实用新型]基于黑硅和量子点的Si-APD光电探测器有效

申请号：	201921166813.2	申请日：	2019-07-24
公开（公告）号：	CN210692551U	公开（公告）日：	2020-06-05
发明（设计）人：	陆文强;张昆;付勰;康帅;冯双龙	申请（专利权）人：	中国科学院重庆绿色智能技术研究院
主分类号：	H01L31/0236	分类号：	H01L31/0236;H01L31/0288;H01L31/032;H01L31/0352;H01L31/107;H01L31/18
代理公司：	北京申翔知识产权代理有限公司 11214	代理人：	艾晶
地址：	400714 ***	国省代码：	重庆;50
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摘要：
搜索关键词：	基于量子 si apd 光电探测器
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【权利要求书】：

1.一种基于黑硅和量子点的Si-APD光电探测器，其特征在于，其包括本征Si衬底(1)、位于本征Si衬底(1)中心上方的P区(2)和位于本征Si衬底(1)两侧上方的N区(3)、位于P区(2)上方的N+区(4)、位于N+区(4)上方的N+黑硅层(5)、位于N+黑硅层(5)上表面的量子点区(9)、位于本征Si衬底(1)下方的P+区(7)、位于量子点区(9)和环形保护区N区(3)上表面的上电极(6)以及位于P+区(7)下表面的下电极(8)，N区(3)为保护环区。

2.根据权利要求1所述的基于黑硅和量子点的Si-APD光电探测器，其特征在于，表面涂覆有量子点区(9)的N+黑硅层的复合结构作为光电探测器的光敏层。

3.根据权利要求1所述的基于黑硅和量子点的Si-APD光电探测器，其特征在于，量子点区(9)采用具有优良红外吸收特性的Ⅳ-Ⅵ族化合物。

4.根据权利要求3所述的基于黑硅和量子点的Si-APD光电探测器，其特征在于，量子点颗粒直径在1nm-4nm之间，量子点区(9)厚度在10nm-3nm之间，制备的量子点保存在正辛烷溶液中。

5.根据权利要求1或2所述的基于黑硅和量子点的Si-APD光电探测器，其特征在于，N+黑硅层(5)上表面为具有陷光作用的致密针状尖峰结构，尖峰高度在20μm-40μm之间。

6.根据权利要求1所述的基于黑硅和量子点的Si-APD光电探测器，其特征在于，量子点区(9)覆盖在N+黑硅层的上表面。

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