[实用新型]一种物理不可克隆函数电路及集成电路有效

专利信息
申请号: 201921169078.0 申请日: 2019-07-23
公开(公告)号: CN209821833U 公开(公告)日: 2019-12-20
发明(设计)人: 杨祎巍;匡晓云;林伟斌;黄开天;周峰;崔超;李舟 申请(专利权)人: 南方电网科学研究院有限责任公司;中国南方电网有限责任公司
主分类号: G06F21/73 分类号: G06F21/73;G06F21/76
代理公司: 11227 北京集佳知识产权代理有限公司 代理人: 王云晓
地址: 510663 广东省广州市萝岗区科*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 光刻蚀 串联 预设 遮蔽 物理不可克隆函数 放大器 本实用新型 和运算 连接点 电路 运算放大器 输入端 集成电路
【说明书】:

实用新型公开了一种物理不可克隆函数电路,包括至少两个串联光刻蚀结构和运算放大器,串联光刻蚀结构包括相互串联的第一光刻蚀结构和第二光刻蚀结构,第一光刻蚀结构与第二光刻蚀结构之间形成有连接点,运算放大器的两个输入端分别与两个串联光刻蚀结构的连接点连接。第一光刻蚀结构具体通过第一预设版图光刻蚀而成,第一预设版图的第一遮蔽图形包括第一遮蔽指,第二光刻蚀结构具体通过第二预设版图光刻蚀而成,第二预设版图的第三遮蔽图形包括第二遮蔽指。上述物理不可克隆函数电路仅由串联光刻蚀结构和运算放大器构成,其结构非常简单。本实用新型还提供了一种集成电路,同样具有上述有益效果。

技术领域

本实用新型涉及集成电路技术领域,特别是涉及一种物理不可克隆函数电路及一种集成电路。

背景技术

现阶段,在集成电路的设计和生产过程当中,通常需要设计对工艺参数不敏感的版图,以便提高设计的鲁棒性,保证成品率。但是,在现阶段集成电路需要标识自身特征、或实现物理不可克隆等功能时,通常需要在集成电路中设置自身的标识信息。而该标识信息通常是由集成电路中的函数电路生成。

在现有技术中,常用的物理不可克隆函数(Physical Unclonable Function,PUF)电路的实现有基于仲裁器、基于SRAM(Static Random-Access Memory,静态随机存取存储器)等不同技术手段。基于仲裁器的实现方式电路不够简单,基于SRAM的实现则要求芯片中必须具有SRAM。即现有技术中物理不可克隆函数电路的实现过于复杂,这将极大的占据集成电路中的空间,以及不利于集成电路的制作。所以如何提供一种简单有效的物理不可克隆函数电路是本领域技术人员急需解决的问题。

实用新型内容

本实用新型的目的是提供一种物理不可克隆函数电路,其自身结构较为简单;本实用新型的另一目的在于提供一种集成电路,其自身结构较为简单。

为解决上述技术问题,本实用新型提供一种物理不可克隆函数电路,包括至少两个串联光刻蚀结构和运算放大器;

所述串联光刻蚀结构包括相互串联的第一光刻蚀结构和第二光刻蚀结构,所述第一光刻蚀结构与所述第二光刻蚀结构之间形成有连接点;所述运算放大器的一输入端与一所述串联光刻蚀结构中所述连接点连接,所述运算放大器的另一输入端与另一所述串联光刻蚀结构中所述连接点连接;

所述第一光刻蚀结构包括沿水平方向分布且相互隔离的第一导体和第二导体,所述第一导体与所述第二导体均通过第一预设版图光刻蚀而成;所述第一预设版图包括对应第一导体的第一遮蔽图形,以及对应第二导体的第二遮蔽图形;所述第一遮蔽图形包括至少一个沿预设方向延伸的第一遮蔽指;

所述第二光刻蚀结构包括沿水平方向分布且相互隔离的第三导体和第四导体,所述第三导体与所述第四导体均通过第二预设版图光刻蚀而成;所述第二预设版图包括对应第三导体的第三遮蔽图形,以及对应第四导体的第四遮蔽图形;所述第二遮蔽图形包括至少一个沿预设方向延伸的第二遮蔽指。

可选的,所述第一遮蔽图形包括多个第一遮蔽指,所述第一遮蔽指的长度值均相同;所述第三遮蔽图形包括多个第二遮蔽指,所述第二遮蔽指的长度值均相同。

可选的,所述第一遮蔽图形与所述第二遮蔽图形之间具有第一间隙,所述第一间隙的任一处宽度值均相同;所述第三遮蔽图形与所述第四遮蔽图形之间具有第二间隙,所述第二间隙的任一处宽度值均相同。

可选的,所述第一遮蔽指的长度值大于所述第一间隙的宽度值;所述第二遮蔽指的长度大于所述第二间隙的宽度值。

可选的,所述第二遮蔽图形呈环形包围所述第一遮蔽图形,所述第一遮蔽图形包括一第一遮蔽块和至少两个沿不同方向延伸的所述第一遮蔽指,所述第一遮蔽指与所述第一遮蔽块相互接触。

可选的,所述第一遮蔽图形包括四个所述第一遮蔽指,所述第一遮蔽图形呈十字形。

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