[实用新型]波导型锗基光电探测器有效
| 申请号： | 201921180948.4 | 申请日： | 2019-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN210006746U | 公开（公告）日： | 2020-01-31 |
| 发明（设计）人： | 汪巍;方青;涂芝娟;曾友宏;蔡艳;余明斌 | 申请（专利权）人： | 上海新微技术研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0232 | 分类号： | H01L31/0232;H01L31/09;H01L31/18 |
| 代理公司： | 31219 上海光华专利事务所(普通合伙) | 代理人： | 罗泳文 |
| 地址： | 201800 上海市嘉定区*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 光电探测器 锗基 分布式布拉格反射镜 硅波导 本实用新型 波导型 波导型探测器 光吸收效率 硅波导结构 暗电流 低电容 第一端 高响应 探测器 反射 减小 制备 引入 | ||
1.一种硅波导分布式布拉格反射镜集成的波导型锗基光电探测器，其特征在于，包括：
锗基光电探测器；
硅波导结构，连接于所述锗基光电探测器的第一端；
硅波导分布式布拉格反射镜，连接于所述锗基光电探测器的第二端。
2.根据权利要求1所述的硅波导分布式布拉格反射镜集成的波导型锗基光电探测器，其特征在于：所述硅波导分布式布拉格反射镜通过变化硅波导的宽度尺寸或/及高度尺寸实现。
3.根据权利要求1所述的硅波导分布式布拉格反射镜集成的波导型锗基光电探测器，其特征在于：所述硅波导结构的入射光通过直接耦合或消逝波耦合方式进入所述锗基光电探测器。
4.根据权利要求1所述的硅波导分布式布拉格反射镜集成的波导型锗基光电探测器，其特征在于：所述硅波导分布式布拉格反射镜的反射光通过直接耦合或消逝波耦合方式进入所述锗基光电探测器。
5.根据权利要求1所述的硅波导分布式布拉格反射镜集成的波导型锗基光电探测器，其特征在于，所述锗基光电探测器包括：
下接触层；
锗基吸收层，位于所述下接触层上；
上接触层，位于所述锗基吸收层上；
下电极及上电极，分别位于所述下接触层及上接触层上。
6.根据权利要求5所述的硅波导分布式布拉格反射镜集成的波导型锗基光电探测器，其特征在于：所述下接触层具有位于所述锗基吸收层两侧外的凸台接触部，所述下电极形成于所述凸台接触部上。
7.根据权利要求5所述的硅波导分布式布拉格反射镜集成的波导型锗基光电探测器，其特征在于：所述锗基吸收层的材料包括SiGe、Ge、GeSn及GePb中的一种。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
