[实用新型]金属有机化学气相沉积设备的尾气处理装置

说明书

一种金属有机化学气相沉积设备的尾气处理装置，该尾气处理装置包括：进气单元，其输入待处理的废气；吸收单元，其上设有排气口且与所述进气单元连接，所述吸收单元内设有用于吸收所述待处理的尾气的吸收液；监测单元，用于监测所述吸收单元中吸收液的参数并输出到监测单元中，所示参数包括pH值、ORP值和/或温度；以及控制单元，基于所述监测单元输出的包含参数值的信号来控制所述尾气处理装置中的伺服部件，从而调节所述吸收液的对应参数。本实用新型装置处理能力大大提升，最多可同时满足十数台MOCVD设备的尾气处理。负压采用文丘里及风机同时控制，负压范围广、精确度高。

技术领域

本实用新型属于废气处理技术领域，具体涉及一种金属有机化学气相沉积设备的尾气处理装置。

背景技术

近十几年来，随着化合物半导体技术的快速发展和相关电子、光电器件市场需求的迅猛增长，MOCVD技术获得了非常广泛的应用，例如：太阳能电池、激光器、光探测器、晶体管以及发光二极管等，极大地推动了微电子、光电子技术的发展。目前国内企业拥有的生产型MOCVD机台数量达数百台。其适用范围广泛，几乎可以生长所有化合物及合金半导体，适合于生长各种异质结构材料。具有以下独特优势：(1)能在较低的温度下制备高纯度的薄膜材料，减少了材料的热缺陷和本征杂质含量；(2)能达到原子级精度控制薄膜的厚度；(3)采用质量流量计易于控制化合物的组分和掺杂量；(4)通过气源的快速无死区切换，可灵活改变反应物的种类或比例，达到薄膜生长界面成分突变，实现界面陡峭；(5)能大面积、均匀、高重复性地完成薄膜生长，适用于工业化生产。

MOCVD设备由于采用了有机金属和V族氢化物做为源，生长过程中通入V族气体(砷烷、磷烷)的一种或多种，III族金属有机气体(三甲基镓、三甲基铝、三甲基铟)的一种或多种，在衬底上发生气相外延反应，形成III-V材料薄膜。在此工艺过程中，产生过量的砷烷、磷烷废气。

砷烷、磷烷是对人体有害的剧毒气体，医学毒理研究成人一次吸入 250ppm的砷烷、磷烷便会迅速致死，国家环保标准，砷烷、磷烷的允许排放浓度为1mg/m³。目前，半导体行业砷烷、磷烷的废气处理方案大致分为干法和湿法两类。干法包括焚烧、吸附等方式，成本较高。湿法是通过化学溶液的氧化还原反应吸收有害气体，是较为常用的尾气处理方式。湿法设备主要从国外进口，设备处理能力有限，费用很高，难以精确控制管路负压，腔体及管路易结晶堵塞。

实用新型内容

有鉴于此，本实用新型的主要目的之一在于提出一种金属有机化学气相沉积设备的尾气处理装置，以期至少部分地解决上述技术问题中的至少之一。

为了实现上述目的，本实用新型提供了一种金属有机化学气相沉积设备的尾气处理装置，包括：

进气单元，其输入待处理的废气；

吸收单元，其上设有排气口且与所述进气单元连接，所述吸收单元内设有用于吸收所述待处理的尾气的吸收液；

监测单元，用于监测所述吸收单元中吸收液的参数并输出到监测单元中，所示参数包括pH值、ORP值和/或温度；以及

控制单元，基于所述监测单元输出的包含参数值的信号来控制所述尾气处理装置中的伺服部件，从而调节所述吸收液的对应参数。

实用新型基于上述技术方案可知，本实用新型的金属有机化学气相沉积设备的尾气处理装置相对于现有技术至少具有以下优势之一：

1、本实用新型通过文丘里(Venturi)产生负压，负压范围较大，可根据需要自行调节负压值，且塔体内部保持负压，避免尾气泄漏；喷嘴无堵塞、气液相接触效果好、免维护、喷淋区域全覆盖；冷却盘管使吸收液降温至30℃以内，减少药剂的浪费；自动监测pH值、ORP(氧化还原电位)值，使吸收液维持一定浓度，确保吸收效率；