[实用新型]非接触式上下芯片封装结构

说明书

本实用新型公开一种非接触式上下芯片封装结构，包括：引线框、第一芯片、第二芯片和塑封体，引线框包括第一子框架和第二子框架，第一子框架和第二子框架相对的一侧均设有第一引脚、第二引脚和第三引脚，所述第二引脚位于第一引脚的下方，所述第一芯片的下表面与第一子框架和第二子框架上的第一引脚分别电性连接，所述第二芯片的下表面通过绝缘胶层与第一子框架和第二子框架上的第二引脚分别固定连接，上表面通过焊线与第一子框架和第二子框架上的第三引脚分别电性连接，所述塑封体包封所述第一芯片、第二芯片、第一引脚、第二引脚和第三引脚，通过使小芯片埋于大芯片的底部，提高了引线框结构空间的利用率，降低了封装体积，提高了散热效率。

技术领域

本实用新型涉及微电子封装技术领域，具体涉及一种非接触式上下芯片封装结构。

背景技术

芯片封装，是一种将集成电路用绝缘的塑料或陶瓷材料打包的技术，不仅直到安放、固定、密封、保护芯片和增强导热性能的作用，而且还是沟通芯片内部世界与外部电路的桥梁。随着智能产品和可穿戴设备向更小、更薄、更轻的方向发展，芯片的制造工艺也不断从微米向纳米级发展，但芯片制造的工艺尺寸越往下发展越困难。

如说明书附图1所示，现有的多芯片封装主要的方式是大芯片20叠载在引线框10的上表面，小芯片30叠载在大芯片20上表面，这样的结构小芯片30与大芯片20之间距离很近，大芯片20下表面到塑封体40的下表面的距离，以及小芯片30到塑封体40的上表面的距离均较大，不利用芯片之间的散热，塑封成型后塑封体40厚度大，产品整体体积较大。

实用新型内容

本实用新型针对现有技术存在之缺失，提供一种非接触式上下芯片封装结构，其能节省芯片的封装空间，减少塑封体的厚度，提高芯片散热效率。

为实现上述目的，本实用新型采用如下之技术方案：

一种非接触式上下芯片封装结构，包括：

引线框，所述引线框包括第一子框架和第二子框架，所述第一子框架和第二子框架相对的一侧均设有第一引脚、第二引脚和第三引脚，所述第一引脚和第二引脚上下错开设置，并且所述第二引脚位于第一引脚的下方，所述第一子框架和第二子框架上的第一引脚之间形成有第一开口，所述第一子框架和第二子框架上的第二引脚之间形成有第二开口，所述第一开口的宽度大于第二开口的宽度；

第一芯片，所述第一芯片的下表面与第一子框架和第二子框架上的第一引脚分别电性连接，并且所述第一芯片的下表面一部分被第一开口暴露；

第二芯片，所述第二芯片的下表面通过绝缘胶层与第一子框架和第二子框架上的第二引脚分别固定连接，并且所述第二芯片的下表面一部分被第二开口暴露，所述第二芯片的上表面通过焊线与第一子框架和第二子框架上的第三引脚分别电性连接，所述第二芯片的上表面与第一芯片的下表面之间保持有间隙；

塑封体，所述塑封体包封所述第一芯片、第二芯片、第一引脚、第二引脚和第三引脚。

作为本实用新型的一种优选方案，所述第一引脚为与引线框主体的上表面平齐的平直引脚，所述第二引脚和第三引脚均为自引线框主体的上表面向下打凹形成的打凹引脚，并且所述第二引脚和第三引脚的上表面平齐。

作为本实用新型的一种优选方案，所述第一芯片的下表面设有向下凸伸的铜柱凸点，所述铜柱凸点的末端设有锡帽，所述第一芯片通过锡帽与第一子框架和第二子框架上的第一引脚分别焊接连接。

作为本实用新型的一种优选方案，所述第二芯片的上表面设有若干焊盘，所述焊盘通过焊线与第一子框架和第二子框架上的第三引脚分别焊接连接。

作为本实用新型的一种优选方案，所述第二引脚伸出于第一开口的下方。

作为本实用新型的一种优选方案，所述第一芯片的上表面与塑封体的上表面的距离为90-110μm。