[实用新型]一种用于线性充电的PNP型三极管有效
申请号: | 201921190894.X | 申请日: | 2019-07-26 |
公开(公告)号: | CN210535672U | 公开(公告)日: | 2020-05-15 |
发明(设计)人: | 杨国江;陈益忠;夏昊天;陈炜;覃立金;于世珩;毛嘉云;刘健;汤振凯;徐伟 | 申请(专利权)人: | 江苏长晶科技有限公司 |
主分类号: | H01L29/73 | 分类号: | H01L29/73;H01L23/32 |
代理公司: | 南京禾易知识产权代理有限公司 32320 | 代理人: | 王彩君 |
地址: | 211800 江苏省南京市江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 用于 线性 充电 pnp 三极管 | ||
本实用新型公开了一种用于线性充电的PNP型三极管,包括PNP型三极管主体,所述PNP型三极管主体的内部的一侧安装有集电区,所述PNP型三极管主体的内部的另一侧安装有发射区,所述发射区与N基区的连接处安装有发射结。本实用新型的PNP型三极管主体的底部设置有底座,且底座设置为可旋转结构,且底座与PNP型三极管主体设置为可拆分结构,在PNP型三极管主体的底部增加一个底座,可以使PNP型三极管主体与所需装置增加一定的高度,便于PNP型三极管主体的散热,通过螺丝可以将PNP型三极管主体与底座进行安装,便于安装,通过旋转可以使PNP型三极管主体进行360度转动,从而调整第一P型半导体、N型半导体和第二P型半导体的朝向。
技术领域
本实用新型涉及PNP型三极管技术领域,具体为一种用于线性充电的PNP型三极管。
背景技术
PNP型三极管,是由2块P型半导体中间夹着1块N型半导体所组成的三极管,所以称为PNP型三极管,也可以描述成,电流从发射极E流入的三极管,晶体三极管按材料分有两种:锗管和硅管。而每一种又有NPN和PNP两种结构形式,但使用最多的是硅NPN和PNP两种三极管,两者除了电源极性不同外,其工作原理都是相同的,下面仅介绍NPN硅管的电流放大原理,对于NPN管,它是由2块N型半导体中间夹着一块P型半导体所组成,发射区与基区之间形成的PN结称为发射结,而集电区与基区形成的PN结称为集电结,三条引线分别称为发射极e、基极b和集电极c。
目前关于一种用于线性充电的PNP型三极管仍存在不足之处,例如:PNP型三极管在安装时,不便于安装和调整半导体的方向。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种用于线性充电的PNP型三极管,以解决上述背景技术中提出的PNP型三极管在安装时,不便于安装和调整半导体的方向的问题。
为实现上述目的,本实用新型提供如下技术方案:一种用于线性充电的PNP型三极管,包括PNP型三极管主体,所述PNP型三极管主体的内部的一侧安装有集电区,所述PNP型三极管主体的内部的另一侧安装有发射区,所述PNP型三极管主体的内部的中间位置安装有N基区,所述发射区与N基区的连接处安装有发射结,所述集电区与N基区的连接处安装有集电结,所述PNP型三极管主体的一端安装有基极连接板,所述基极连接板的中间位置安装有固定孔,所述PNP型三极管主体的另一端的中间位置安装有N型半导体,所述N型半导体的一侧安装有第一P型半导体,所述N型半导体的另一侧安装有第二P型半导体,所述PNP型三极管主体的底部安装有底座,所述底座的内部的上方安装有旋转层,所述底座的内部的下方安装有底板,所述底板的中间位置安装有螺口,所述N型半导体的边角处安装有螺丝。
优选的,所述底座与PNP型三极管主体通过螺丝连接,且底座设置为圆形结构。
优选的,所述底板的两侧设置有滑条,且底板与底座通过滑条滑动连接。
优选的,所述基极连接板与PNP型三极管主体的底部通过镶嵌连接,且基极连接板与PNP型三极管主体的连接处的边侧通过粘合连接。
优选的,所述集电区、N基区和发射区与基极连接板通过电性连接,且基极连接板与第一P型半导体、N型半导体和第二P型半导体通过集电区、N基区和发射区电性连接。
优选的,所述螺丝共设置有四个,且四个螺丝分别安装在PNP型三极管主体的上方的四个夹角的内部。
与现有技术相比,本实用新型的有益效果是:
1、本实用新型的PNP型三极管主体的底部设置有底座,且底座设置为可旋转结构,且底座与PNP型三极管主体设置为可拆分结构,在PNP型三极管主体的底部增加一个底座,可以使PNP型三极管主体与所需装置增加一定的高度,便于PNP型三极管主体的散热,通过螺丝可以将PNP型三极管主体与底座进行安装,便于安装和拆卸,通过旋转可以使PNP型三极管主体进行360度转动,从而调整第一P型半导体、N型半导体和第二P型半导体的朝向。
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