[实用新型]菱形硅片载片舟的冷却装置有效
申请号: | 201921194958.3 | 申请日: | 2019-07-27 |
公开(公告)号: | CN210560745U | 公开(公告)日: | 2020-05-19 |
发明(设计)人: | 王杨阳;王红美;章新良;孙嵩泉 | 申请(专利权)人: | 普乐新能源(蚌埠)有限公司 |
主分类号: | C23C16/458 | 分类号: | C23C16/458;C23C16/46;H01L21/67;H01L21/673 |
代理公司: | 蚌埠鼎力专利商标事务所有限公司 34102 | 代理人: | 张建宏;和聚龙 |
地址: | 233030 *** | 国省代码: | 安徽;34 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 菱形 硅片 载片舟 冷却 装置 | ||
本实用新型给出了一种菱形硅片载片舟的冷却装置;包括底座、风冷组件、两个支架和若干销轴;两个支架分别固定连接在底座上端面两侧,若干销轴分为两组,两组销轴分别固定在两个支架上,两组销轴相对布置,两组轴销与载片舟的底部配合且两组轴销用于支撑载片舟;风冷组件包括若干风冷管,风冷管一端与气源连接,风冷管另一端封闭,风冷管表面开有若干风冷孔,所述风冷孔对准载片舟上的菱形硅片。若干销轴支撑载片舟,气源向风冷组件的风冷管输送冷风介质,再从风冷孔吹出对载片舟上的菱形硅片进行冷却,加速了对菱形硅片的冷却作业,提升了工作效率。
技术领域
本实用新型涉及一种菱形硅片载片舟的冷却装置。
背景技术
在低压化学气相沉积镀膜中,先将工件放置在载片舟上,载片舟的支撑结构一般为多杆框架结构,并且设置若干放置工件的工位,行业内菱形硅片放置载片舟上时,需要竖直摆放,再将载片舟连通工件一起放入真空管式炉(即LPCVD),沉积物在沉积到工件表面,完成镀膜作业,载片舟在完成真空管式炉作业后,温度很高,需要冷却后才能转移至下一个工作位。但是现有的载片舟冷却都是通过自然冷却,常常耗费大量时间,影响加工效率,而且可能由于冷却不均匀,减小硅片因温差造成的变形。
实用新型内容
本实用新型所要解决的技术问题是提供一种冷却时间短、冷却效果均匀的菱形硅片载片舟的冷却装置。
为解决上述技术问题,本实用新型提供了一种菱形硅片载片舟的冷却装置;
包括底座、风冷组件、两个支架和若干销轴;
两个支架分别固定连接在底座上端面两侧,若干销轴分为两组,两组销轴分别固定在两个支架上,两组销轴相对布置,两组轴销与载片舟的底部配合且两组轴销用于支撑载片舟;
风冷组件包括若干风冷管,风冷管一端与气源连接,风冷管另一端封闭,风冷管表面开有若干风冷孔,所述风冷孔对准载片舟上的菱形硅片。
采用这样的结构后,若干销轴支撑载片舟,气源向风冷组件的风冷管输送冷风介质,再从风冷孔吹出对载片舟上的菱形硅片进行冷却,加速了对菱形硅片的冷却作业,提升了工作效率。
为了更清楚的理解本实用新型的技术内容,以下将本菱形硅片载片舟的冷却装置简称为本冷却装置。
本冷却装置的风冷组件包括至少一个第一风冷管和至少一个第二风冷管,所述第一风冷管为直管状,第一风冷管一端与气源连接,第一风冷管另一端封闭,第一风冷管的侧壁开有若干第一风冷孔,所述第一风冷孔对准载片舟上的菱形硅片下端角处,第一风冷管固定连接在底座上;
所述第二风冷管包括第一管体、第二管体和折弯管体,第一管体、第二管体相互平行,折弯管体连通第一管体和第二管体,处于下侧的第一管体固定在底座上,第一管体的端部与气源连接,处于上侧的第二管体侧壁开有若干第二风冷孔,所述第二风冷孔对准载片舟上的菱形硅片侧端角处。
采用这样的结构后,第一风冷管的第一风冷孔针对对应的菱形硅片下端角区域进行冷却,第二风冷管的第二风冷孔针对菱形硅片侧端角处区域进行冷却,使得本冷却装置的冷却效果均匀,减小菱形硅片因冷却时的温差造成变形,提升产品的良率。
附图说明
图1是本冷却装置实施例的使用状态图的右视图。
图2是本冷却装置实施例的俯视图。
图3是本冷却装置实施例第二风冷管的主视图。
图4是本冷却装置实施例第一风冷管的俯视图。
图5是本冷却装置实施例的主视图。
具体实施方式
如图1至5所示(图1中虚线表示菱形硅片6,图5中省略了风冷组件)。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于普乐新能源(蚌埠)有限公司,未经普乐新能源(蚌埠)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201921194958.3/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种用于菌种培育的便携式培育架
- 下一篇:一种卡扣式防锈蚀板材幕墙结构
- 同类专利
- 专利分类
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的