[实用新型]一种热场、电场、偏压复合外场仿真环境芯片

权利要求书

1.一种热场、电场、偏压复合外场仿真环境芯片，其特征在于，包括：四线法接入电流电极，双回字热场型芯片，电场、偏压外场电压接入电极，电场、偏压外场形成电极，氮化硅薄膜承载层，硅基片，电子束透过窗口，具体结构如下：

硅基片中部开设电子束透过窗口，氮化硅薄膜承载层设置于硅基片上表面中部，氮化硅薄膜承载层的两侧分别设置电场、偏压外场形成电极于硅基片上表面，两个电场、偏压外场形成电极分别通过线路连接电场、偏压外场电压接入电极，电场、偏压外场电压接入电极相对设置于硅基片上表面的一侧；氮化硅薄膜承载层的上表面设置双回字热场型芯片，双回字热场型芯片中的每个回字热场型芯片分别通过线路连接四线法接入电流电极。

2.按照权利要求1所述的热场、电场、偏压复合外场仿真环境芯片，其特征在于，氮化硅薄膜承载层于硅基片上表面完全覆盖在电子束透过窗口。

3.按照权利要求1所述的热场、电场、偏压复合外场仿真环境芯片，其特征在于，电场、偏压外场形成电极为双条形电极平行相对设置。