[实用新型]一种RFID标签芯片的射频信号补偿调制电路

说明书

本实用新型涉及射频信号可控技术领域，提出一种RFID标签芯片的射频信号补偿调制电路，包括控制器、SIM卡单元、衰减补偿电路、电源产生电路，所述衰减补偿电路分别与控制器连接，所述SIM卡单元与控制器连接，所述衰减补偿电路的输入端接收输入射频信号，衰减补偿电路的输出端发送输出射频信号。本实用新型使用SIM卡单元接收工作人员使用远程终端发送的控制指令信号，可根据射频信号实际传输的环境更改控制指令信号，控制器根据控制指令信号向衰减补偿电路发送相应的电压信号，衰减补偿电路调制射频信号在传输过程发生的衰减和干扰，使得最终得到准确的射频信号。

技术领域

本实用新型涉及射频信号可控技术领域，特别涉及一种RFID标签芯片的射频信号补偿调制电路。

背景技术

在射频通信中，射频信号电平会由于受到干扰或其他原因而产生波动，因此常常需要根据实际情况对射频信号作出调整，目前对射频通信的调制是根据预先已设定的参数通过控制器来对射频信号进行调整，但如果使用的环境变化后，那么预先设定的调整参数则不再适用，这样会使原本的调制系统失去本有的价值，造成浪费。

实用新型内容

本实用新型的目的在于改善现有技术中所存在的不足，提供一种RFID标签芯片的射频信号补偿调制电路，可根据实际使用环境对射频信号进行不同的调制。

为了实现上述实用新型目的，本实用新型实施例提供了以下技术方案：

一种RFID标签芯片的射频信号补偿调制电路，包括控制器、SIM卡单元、衰减补偿电路、电源产生电路，所述衰减补偿电路分别与控制器连接，所述SIM卡单元与控制器连接，所述衰减补偿电路的输入端接收输入射频信号，衰减补偿电路的输出端发送输出射频信号。

更进一步地，为了更好的实现本实用新型，所述衰减补偿电路包括分别与控制器连接的电压控制衰减器、低噪声运算放大器，所述电压控制衰减器、低噪声运算放大器还分别与电源产生单元连接。

更进一步地，为了更好的实现本实用新型，所述控制器选用型号为STC89C52的单片机。

更进一步地，为了更好的实现本实用新型，所述SIM卡单元包括通信芯片U2、接口J1、电阻R2～电阻R4、电容C4～电容C7，所述通信芯片的型号为CS10616315001；所述电阻R2的一端与单片机的P3.0引脚连接，所述电阻R2的另一端分别与电容C4的一端、通信芯片U2的DATA引脚、接口J1的第3引脚连接，所述通信芯片U2的GND引脚与电容C7的一端连接且地接，通信芯片U2的CLK引脚分别与电容C5的一端、接口J1的第5引脚、电阻R3的一端连接，电阻R3的另一端与单片机的P3.2引脚连接，通信芯片U2的RST引脚分别与电容C6的一端、接口J1的第4引脚、电阻R4的一端连接，电阻R4的另一端与单片机的P3.3引脚连接，通信芯片U2的VCC引脚分别与电容C7的另一端、接口J1的第1引脚连接，电容C4的另一端、电容C5的另一端、电容C6的另一端均接地。

更进一步地，为了更好的实现本实用新型，所述电压控制衰减器包括电压衰减芯片U3、电阻R5～电阻R11、电容C8～电容C11，所述电压衰减芯片U3的型号为HMC346MSC8；所述电压衰减芯片U3的RF1引脚接入输入射频信号，电压衰减芯片U3的V2引脚分别与电阻R5的一端、电阻R6的一端连接，电阻R5的另一端接地，电压衰减芯片U3的I引脚与电阻R7的一端连接，电阻R6的另一端分别与电阻R7的另一端、电容C8的一端、电容C9的一端连接，电容C8的另一端、电容C9的另一端均接地，电压衰减芯片U3的V1引脚分别与电阻R10的一端、电阻R8的一端、电容C11的一端连接，电阻R8的另一端、电容C11的另一端均接地，电阻R10的另一端与单片机的P1.0引脚连接，电压衰减芯片U3的RF2引脚与电阻R9的一端连接，电阻R9的另一端分别与电容C10的、电阻R11连接，且电阻R9的另一端作为电压控制器衰减器的输出端与低噪声运算放大器连接。